上海羊羽卓进出口贸易有限公司紫光国芯取得一种 3D 堆叠芯片专利，实现了 3D 堆叠集成逻辑芯片硬核 IP 器件模块的供电接入和信号接入
金融界 2024 年 7 月 31 日消息，天眼查知识产权信息显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司取得一项名为“一种 3D 堆叠芯片“，授权公告号 CN221447170U，申请日期为 2023 年 12 月。
专利摘要显示，本实用新型提出了一种 3D 堆叠芯片，属于集成电路技术领域，包括基底层，基底层上设置有硬核 IP 器件模块以及贯穿基底层的硅通孔；金属传输层，设置于基底层靠近硬核 IP 器件模块的一侧，硅通孔通过金属传输层形成的传输网络连接硬核 IP 器件模块。本实用新型通过硅通孔以及金属传输层形成的传输网络形成了先自下至上、再自上至下传输电和信号的方式，实现了 3D 堆叠集成逻辑芯片硬核 IP 器件模块的供电接入和信号接入。
本文源自金融界
无刷电机控制芯片汇总，BLDC技术进步与市场前景分析
前言
全球高速无刷电机行业正在经历持续的增长和发展。根据市场调研，亚洲市场占据了全球高速无刷电机行业的首位，市场规模占比达47%，并且预计未来增长将主要集中在亚洲地区。特别是在我国，无刷电机技术已逐渐成熟，电机和驱动器的价格均已下探到可以广泛应用的程度，也就拓展了无刷电机的使用场景。
而控制芯片作为无刷电机系统中的关键组件，通过接收转子位置的反馈信号，精确控制电机的电流和电压，实现电机的高效运转和精确控制。
无刷电机控制芯片
充电头网从过往的拆解案例与新闻中汇总出目前市面上常见的无刷电机控制芯片，具体如下表所示。
排名不分先后，按企业英文首字母排序。
Cmsemicon中微半导体
CMS32M5710
中微半导体CMS32M5710是一颗内置ARM Coretx-M0内核的电机微控制器芯片，芯片支持2.1-5.5V工作电压，内置64KB FLASH和8KB SRAM，主频达64MHz，具备46个GPIO，芯片内置ADC，运放，比较器，并具备UART接口，I2C接口和SPI接口。采用LQFP48封装。
CMS32M5333
CMS32M53xx系列MCU是中微半导体基于ARM-Cortex M0推出的高端电机控制专用芯片。主频高达48MHz，工作电压2.1V至5.5V；提供32K Flash Memory，8K SRAM；多达30个GPIO；6通道增强型PWM可输出死区可控的互补型PWM；内置采样率100Ksps的12-bit低速 ADC，内置采样率1.2Msps的12-bit高速ADC，提供SSOP24，QFN40及LQFP48多种封装。
Fortior Tech峰岹
FU6812L
峰岹FU6812L，内置电机专用引擎ME和8051内核，通过ME硬件自动完成电机FOC或BLDC运算控制，内置8051内核用于参数配置和日常事务处理，具备PWM驱动信号输出，采用LQFP48封装。
FT8213Q
峰岹科技FT8213Q一颗三相无传感器FOC控制的直流无刷马达驱动芯片，芯片内部集成驱动MOS，外围元件精简。芯片支持PWM，模拟信号和I2C转速调节，集成转速输出功能，可通过FG引脚或者I2C接口实时读取转速。
LINKOSEMI凌鸥创芯
LKS32MCR22M6S8
凌鸥创芯电子LKS32MC037M6S8
LKS32MC038Y6P8B
凌鸥创芯LKS32MC038Y6P8B，芯片内部集成48MHz 32位 Cortex-M0处理器内核，集成三相全桥自举式栅极驱动模块，内置32KB FLASH和4KB RAM，采用TSSOP28L封装。
LNCHIP领芯微电子
LCM32F037K6T8
领芯微电子LCM32F037K6T8，芯片内置32位ARM Cortex M0 MCU，主频为96MHz，芯片内置32KB FLASH和4KB RAM，内置三路轨对轨模拟比较器和运算放大器，采用LQFP32封装。
MindMotion灵动微
MM32F0010
灵动微MM32F0010，内置32位M0内核，最高工作频率达48MHz，内置16KB Flash和2KB SRAM，内置12位ADC，提供QFN20、TSSOP20 和 SOP8共3种封装形式。
Silan士兰微电子
SPC7L64B
士兰微SPC7L64B，是一款高集成的高性能无刷电机控制器，内置32位M0内核，最高工作频率64MHz，采用QFN7*7-48封装。
充电头网总结
全球高速无刷电机的消费量在逐年上升，特别是在我国，《GB18613-2020电动机能效限定及能效等级》等政策的实施，进一步推动高效节能电机的渗透率。
在未来，无刷电机控制芯片的应用前景依然广阔。随着更多高性能、高集成度的芯片产品问世，电机控制技术将变得更加智能和高效。无刷电机控制芯片将继续在各个领域发挥其不可替代的作用，推动技术进步和产业升级。
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