芯片内部神经单元之与门电路

与门内部原理图

（1）VA=VB=0V。此时二极管D1和D2都导通，由于二极管正向导通时的钳位作用，VL≈0V。

（2）VA=0V，VB=5V。此时二极管D1导通，由于钳位作用，VL≈0V，D2受反向电压而截止。

（3）VA=5V，VB=0V。此时D2导通，VL≈0V，D1受反向电压而截止。

（4）VA=VB=5V。此时二极管D1和D2都截止，VL=VCC=5V。

带电源完整原理图

原理如图，RL 远大于 R1 ，如 ：R1 = 1K Ω，RL = 100KΩ 。

K1 或 K2 、或者 K1 、K2 同时接地（开关下拨），闭合电路接通， Y 输出是二极管的正向电压 0.7 V ，即输出低电平；

只有 K1、K2 同时接高电平 （开关上拨），二极管全部截止，Y = E * RL / (R1+RL) ≈ E ，即输出高电平。

再增加相同结构的二极管，与门输入端子也就增加。逻辑关系：

Y = A * B ，只有 A、B 同时为 1 （高电平），Y = 1 。

1、CD4082：有两个独立的4输入端与门

2、CD4081：有四个独立的2输入端与门

3、74X11：有三个独立的3输入与门

4、74X21：有两个独立的4输入与门

5、7409TTL：集电极开路，有四个独立的2输入与门

6、7408TTL：有四个独立的2输入与门

朗德电子申请一种柔性磁通门电流传感芯片，具有体积小，重量轻，耐高温和震动冲击的特定的效果

金融界2024年9月18日消息，天眼查知识产权信息显示，浙江朗德电子科技有限公司申请一项名为“一种柔性磁通门电流传感芯片“，公开号 CN202411118327.9，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请涉及微机电系统领域，尤其涉及一种柔性磁通门电流传感芯片，其包括聚酰亚胺底衬底以及聚酰亚胺顶衬底表面分布微槽阵列，激励线圈以及检测线圈的底层线圈位于聚酰亚胺底衬底的微槽阵列内，激励线圈以及检测线圈的顶层线圈位于聚酰亚胺顶衬底的微槽阵列内，且底层线圈内设有底层导线，顶层线圈内设有顶层导线；聚酰亚胺磁芯由聚酰亚胺膜包覆磁芯形成，第一导电端与顶层导线采用低温热压铜‑铜键合连接，第二导电端与底层导线采用低温热压铜‑铜键合连接，以形成完整的三维螺线线圈。

本文源自金融界

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