新型电源芯片问世：3D封装技术，内置MOS支持100W快充

近年来，手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便，它可以大为减少便携式电子设备的充电时间，提高人们工作和生活的效率。但随着经济的发展以及人们生活节奏的不断加快，更快充电速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求，这引发了芯片原厂对大功率高功率密度快充方案的持续探索。

作为国内大功率高功率密度快充解决方案的开拓者，亚成微电子在近日推出了一款高集成度的电源管理芯片RM6620DS，芯片采用行业领先的3D封装技术，内部集成了支持CCM/QR的反激式PWM控制器、650V超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。

芯片采用wQFN8*8封装，可使电源系统设计更加简洁，大大节省开关电源元件数量，减少PCB体积，提高开关电源的功率密度，有效地帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料成本。

RM6620DS是一款内置高压超结MOSFET、高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。

RM6620DS集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130KHz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率。

RM6620DS采用专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6620DS本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

RM6620DS同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定（uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护（OLP）、CS短路保护、输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。

亚成微电子是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，在USB PD快充领域，致力于为客户提供高可靠性的高功率密度快充解决方案，目前已推出国内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、国内首批E-Mode GaN FET直驱ZVS反激控制芯片RM6801SN以及采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的初级主控芯片RM6715S、RM6717S；同时推出了基于RM6801SN/RM6601SN的高功率密度大功率氮化镓快充方案以及高集成度小功率快充方案，已实现目前快充市场主流功率段覆盖。

韩国科学技术院与三星电子合作开发BCDMOS芯片

据pulsenews，韩国科学技术院(KAIST)表示，于本周二与三星电子公司就130纳米双极CMOSDMOS(BCDMOS)技术签署合作协议。BCDMOS技术在单个芯片上集成了模拟电路、逻辑电路和高压器件，非常适合需要高压和高速运行的电源管理应用。

本文源自金融界AI电报

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