华为、戴尔服务器电源都在用的数字隔离芯片，你还不来看看

前言

在开关电源中，光耦隔离的使用最为广泛。光耦隔离可以单向传输信号，通过光电转换的形式完成初次级隔离，来避免次级侧敏感元件受到干扰。但光耦隔离驱动存在共模干扰抑制能力较差、隔离性能与可靠性不够高、传输延时较长、驱动器损耗高等缺点，难以满足当今功率日益剧增的开关电源应用。

而数字隔离芯片同样实现初次级隔离，有效地避免电路中的信号干扰，非常适合需要高精度、高可靠性的高功率电源场景。数字隔离器在传输性能上与光耦隔离相比也更高，数字隔离器的传输延迟和偏移更小，信号在传输过程中能够保持更高的完整性和准确性。另外与传统的光耦隔离技术相比，由于其内部采用先进的数字信号处理技术，使得它在面对外界环境变化时，都能保持稳定不易受到这些因素的干扰，长期稳定性更高。

数字隔离芯片在服务器电源中的应用

充电头网通过拆解了解到，戴尔以及华为几款服务器电源通过内置数字隔离芯片来替代光耦隔离。文中出现的芯片参数如图，详细情况小编将在下文为您详细介绍。

文中案例不分先后，按品牌首字母顺序排列。

戴尔495W白金牌服务器电源

戴尔这款服务器电源大约为2014年以后生产，为12V输出，输出电流为41.25A，最大输出功率为495W，通过了80 PLUS 白金标准，由台达电子代工。另外这款电源提供12V待机电源，输出电流为3A。电源为砖块造型，采用PCB金手指连接器。

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内置数字隔离芯片案例

思佳讯Si8641BD

思佳讯Si8641BD是一颗低功耗四通道数字隔离器，与传统的光耦隔离技术相比，在数据传输速率、传播延迟、功耗、尺寸、可靠性和外部BOM方面具有一定的优势。支持150Mbps传输速率，工作电压为2.5V~5.5V，采用SOIC-16封装。

华为3000W钛金牌氮化镓电源

华为PAC3000S12-T1服务器电源采用常见的板砖造型，支持快拆设计。电源输入端设有散热风扇和拉手，在输出端设有金手指。电源为单12V输出，输出规格为12.3V 243.9A，计算输出功率为3000W。

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内置数字隔离芯片案例

纳芯微NSi8120N0

纳芯微NSi8120N0是一颗高可靠性双通道数字隔离器进行驱动隔离，芯片支持150Mbps传输速率，支持2.5-5.5V工作电压，具备低功耗、高电磁抗扰度特性，提供SOIC-8以及SOIC-16两种封装形式。

纳芯微NSi8141W0

纳芯微NSi8141W0是一颗高可靠性四通道数字隔离器，芯片支持150Mbps传输速率，支持2.5-5.5V工作电压，具备高电磁抗扰度和低功耗特性，提供SOP16以及SOW16两种封装形式。

华为3000W氮化镓服务器电源

华为TMN1APSU电源模块采用短身金属外壳，通过螺丝装配固定。电源前端设有C20接口用于交流电源输入，并设有两个散热风扇和拉手。电源输出侧为金手指，通过设备内部的连接器连接供电。电源输出规格为53.5V 56.1A，总输出功率为3000W。

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内置数字隔离芯片案例

纳芯微NSi8100N

纳芯微NSi8100N是一颗高可靠性双通道数字隔离芯片，具备高电磁抗扰度和低功耗特性，数据传输速率高达150Mbps，提供SOIC-8以及SOIC-16两种封装形式。

纳芯微NSi8141W0

纳芯微NSi8141W0的有关信息上文有提到，这里便不再赘述。

充电头网总结

数字隔离芯片在服务器电源中的应用，标志着电源行业迈向了更为可靠和高效的新阶段。与传统的光耦隔离相比，数字隔离芯片在传输性能、稳定性和可靠性等方面都表现出显著优势。数字隔离器能够提供更高的传输速率和更低的传输延迟，确保了信号的高完整性和准确性。溶蚀在外界环境变化时仍能保持稳定，长期稳定性更高。此外，数字隔离器还具备较低的功耗和高电磁抗扰度特性，能够适应各种复杂电磁环境下的工作需求。

充电头网发现一些知名品牌的服务器电源已经开始采用数字隔离芯片，可见数字隔离芯片在服务器电源中的应用为高功率电源场景带来了新的解决方案，相信随着技术的不断发展和进步，数字隔离芯片将在未来的电源设计中发挥越来越重要的作用，为电源系统的性能和可靠性提供更为可靠的支持。

文中部分资料来自网络，且受案例时效性影响，如有纰漏敬请谅解。

为电源设计带来革新，茂睿芯两款新型隔离驱动芯片详解

前言

对于快充电源而言，一般使用独立初级控制器搭配次级同步整流控制器，次级同步整流控制器自动检测初级开关管的开关，自动控制同步整流管的开关。而更大功率电源其内部的LLC控制器，会由初级LLC控制器输出同步整流信号，无需次级同步整流控制器以获得更高的效率。

我们都知道开关电源内部是初次级隔离的，输出电压通过光耦来反馈。对于大功率开关电源来说，为了降低初级的损耗，会把控制器放在次级，由辅助电源进行供电。这样一来，就需要一颗隔离驱动器，将控制器输出的驱动信号隔离放大，用来驱动初级MOS管。

通常我们所熟知的隔离器件是光耦，光耦确实可以起到隔离通信的作用，但是光耦内部没有驱动器，需要外置的独立驱动器，使用起来比较麻烦。针对这一痛点，茂睿芯推出了一系列高可靠性隔离栅极驱动器芯片，可助力厂商实现高效且精简的隔离驱动电路设计。

茂睿芯隔离驱动芯片

充电头网总结了茂睿芯推出的两款隔离驱动芯片，并将其封装特点以及具体型号汇成下表所示。

茂睿芯MD18011X

MD18011X系列是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力，输入引脚耐压-16V，主要用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。其采用了自主开发的磁隔离技术，绝缘耐压等级高达5700VRMS，能有效提高设备可靠性及使用寿命，应对强电对信号的干扰时也能有效防止对信号链的干扰，从而让系统稳定运行。

相比于传统的光耦型栅极驱动器，MD18011X具有工作寿命更长，CMTI≥200kV/us以上，耐负压能力更高，UVLO恢复更快，脉冲宽度失真更小等优点。

MD18011X系列采用SOW-6封装，并具有8mm的电气间隙和爬电距离，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统之中。

茂睿芯MD18023X

MD18023X系列作为一款双通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力来驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器和一个半桥驱动器。输入端通过5.7kVRMS的隔离障壁与输出端隔离，具有最小200-V/ns的共模瞬变抗扰度。

输入侧所有端口均可耐受-10V至30V的直流电压，从而增加了对长传输路径上寄生电感引起的振铃的稳健性。保护功能包括可编程的死区设置（DT PIN）、DIS功能以关闭两通道输出和所有供电的欠压锁定（UVLO）。

MD18023系列通过了多项安全相关认证，提供SOP-16、SOP-16宽体两种封装，可应用于隔离式交流-直流和直流-直流电源、服务器、工业基础设施、混动车和电动车充电器等领域之中。

充电头网总结

茂睿芯MD18011X和MD18023X芯片均是隔离型栅极驱动器，适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。MD18011X特点包括4A拉电流和7A灌电流能力，输入侧-16V耐压，5700VRMS磁隔离技术，长工作寿命，高CMTI值（≥200kV/us），更强的耐负压能力，快速UVLO恢复，和较小脉冲宽度失真。采用SOW-6封装，具备8mm以上电气间隙和爬电距离，适于工业电源、光伏逆变器等应用。

MD18023X提供4A拉电流和7A灌电流能力，可配置为两个低侧或高侧驱动器，或一个半桥驱动器，具有5.7kVRMS隔离壁，最小200-V/ns共模瞬变抗扰度。输入范围-10V至30V直流电压，增强对振铃的稳健性，并有可编程的死区设置、禁用功能和UVLO保护。通过安全认证，提供SOP-16和SOW-16封装，适合隔离式AC-DC和DC-DC电源、服务器等应用。

两款芯片优势在于高效驱动能力、强大的隔离性能、稳健的输入电压处理、多样的配置选项以及广泛的应用范围，特别适合要求高可靠性和安全性的关键领域。

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