合封芯片

芯片热阻 IC 的热特性-热阻

小编 2024-10-12 合封芯片 23 0

IC 的热特性-热阻

摘要

IC 封装的热特性对 IC 应用和可靠性是非常重要的参数。本文详细描述了标准封装的热特性主要参数:热阻(θja、θjc、θca)等参数。

本文就热阻相关标准的发展、物理意义及测量方式等相关问题作详细介绍,并提出了在实际系统中热计算和热管理的一些经验方法。希望使电子器件及系统设计工程师能明了热阻值的相关原理及应用,以解决器件及系统过热问题。

1 引言

半导体技术按照摩尔定理不断的发展,集成电路的密度越来越高,尺寸越来越小。所有集成电路在工作时都会发热,热量的累积必定导致半导体结点温度的升高,随着结点温度的提高,半导体元器件性能将会下降,甚至造成芯片损害。因此每个芯片厂家都会规定其半导元体器件的最大结点温度。为了保证元器件的结温低于最大允许温度,经由封装进行的从IC 自身到周围环境的有效散热就至关重要。在普通数字电路中,由于低速电路的功耗较小,在正常的散热条件下,芯片的温升不会太大,所以不用考虑芯片的散热问题。而在高速电路中,芯片的功耗较大,在自然条件下的散热已经不能保证芯片的结点温度不超过允许工作温度,因此就需要考虑芯片的散热问题,使芯片可以工作在正常的温度范围之内。

2 热特性基础

在通常条件下,热量的传递通过传导、对流、辐射三种方式进行。传导是通过物体的接触,将热流从高温向低温传递,导热率越好的物体则导热性能越好,一般来说金属导热性能最好;对流是通过物体的流动将热流带走,液体和气体的流速越快,则带走的热量越多;辐射不需要具体的中间媒介,直接将热量发送出去,真空中效果更好。

3 热阻

半导体器件热量主要是通过三个路径散发出去:封装顶部到空气,封装底部到电路板和封装引脚到电路板。

电子器件散热中最常用的,也是最重要的一个参数就是热阻(Thermal Resistance)。热阻是描述物质热传导特性的一个重要指标。以集成电路为例,热阻是衡量封装将管芯产生的热量传导至电路板或周围环境的能力的一个标准和能力。定义如下:

热阻值一般常用θ表示,其中 Tj 为芯片 Die 表面的温度(结温),Tx 为热传导到某目标点位置的温度,P 为输入的发热功率。电子设计中,如果电流流过电阻就会产生压差。同理,如果热量流经热阻就会产生温差。热阻大表示热不容易传导,因此器件所产生的温度就比较高,由热阻可以判断及预测器件的发热状况。通常情况下,芯片的结温升高,芯片的寿命会减少,故障率也增高。在温度超过芯片给定的额定最高结温时,芯片就可能会损坏。

图1. 芯片热阻示意图

θja 是芯片 Die 表面到周围环境的热阻,单位是 ℃/W。周围环境通常被看作热“地”点。θja 取决于 IC 封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性,通常辐射的影响可以忽略。θja 专指自然条件下 (没有加通风措施)的数值。由于测量是在标准规范的条件下测试,因此对于不同的基板设计以及环境条件就会有不同的结果,因此此值可以用于比较封装散热的容易与否,用于定性的比较。

θjc 是芯片 Die 表面到封装外壳的热阻,外壳可以看作是封装外表面的一个特定点。θjc 取决于封装材料(引线框架、模塑材料、管芯粘接材料)和特定的封装设计(管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率)。对带有引脚的封装来说,θjc在外壳上的参考点位于塑料外壳延伸出来的 1 管脚,在标准的塑料封装中,θjc 的测量位置在 1 管脚处。该值主要是用于评估散热片的性能。

注意 θjc 表示的仅仅是散热通路到封装表面的电阻,因此 θjc 总是小于 θja。θjc 表示是特定的、通过传导方式进行热传递的散热通路的热阻,而 θja 则表示的是通过传导、对流、辐射等方式进行热传递的散热通路的热阻。

θca 是指从芯片管壳到周围环境的热阻。θca 包括从封装外表面到周围环境的所有散热通路的热阻。根据上面给出的定义,我们可以知道:θja = θjc + θca

θjb 是指从芯片表面到电路板的热阻,它对芯片 Die 表面到电路板的热通路进行了量化,可用于评估 PCB 的传热效能。θjb 包括来自两个方面的热阻:从芯片 Die 表面到封装底部参考点的热阻,以及贯穿封装底部的电路板的热阻。该值可用于评估 PCB 的热传效能。

从这里,我们可以看出,热量的传递主要有三条路径:

第一:芯片 Die 表面的热量通过封装材料(Mold Compound)传导到器件表面然后通过对流散热/辐射散到周围;

第二:是从芯片 Die 表面到焊盘,然后由连接到焊盘的印刷电路板进行对流/辐射散;

第三:芯片表面热量通过 Lead Frame 传递到 PCB 上散热。显然 θja 的值与外部环境密切相关。

Ψ 和 θ 之定义类似,但不同之处是 Ψ 是指在大部分的热量传递,而 θ 是指全部的热量传递。在实际的电子系统散热时,热会由封装的上下甚至周围传出,而不一定会由单一方向传递,因此 Ψ 之定义比较符合实际系统的量测状况。Ψjb 是芯片 Die 表面到电路板的热特性参数,单位是 ℃/W,热特性参数与热阻是不同的。相对于热阻 θjb 测量时的直接单通路不同,Ψjb 测量的元件功率通量是基于多条热通路的。由于这些 JB 的热通路中包括封装顶部的热对流,因此更加便于用户的应用。

热阻的测量是以 JESD51 标准给出的,JEDEC 中定义的结构配置不是实际应用中的典型系统反映,而是为了保持一致性和标准性,采用标准化的热分析和热测量方法。这有助于对比不同封装变化的热性能指标。其标准环境是指将器件安装在较大的印刷电路板上,并置于 1 立方英尺的静止空气中。因此说明书中的数值实际上是一个系统级别的参数。

图2. JESD51 标准芯片热阻测量环境示意图

以 TO263 为例,它包括一个标准的 JEDEC 高 K 板(2S2P)与 1 盎司内部铜平面和接地平面。该封装是焊接到一个 2 盎司铜焊盘上。这个底盘是通过导热孔联到 1 盎司接地层。下图的侧视图中显示出的计算机模型中使用的操作环境。

图3. TO-263 热阻模型图

JESD 是一套完整的标准。具体的标准可以参见相关网站。

JESD51: Methodology for the Thermal Measurement of Component Packages (Single Semiconductor Device)

JESD51-1: Integrated Circuit Thermal Measurement Method—Electrical Test Method (Single Semiconductor Device)

JESD51-2: Integrated Circuit Thermal Test Method Environmental Conditions—Natural Convection (StillAir)

JESD51-3: Low Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded SuRFace Mount Packages

JESD51-4: Thermal Test Chip Guideline (Wire Bond Type Chip)

JESD51-5: Extension of Thermal Test Board Standards for Packages with Direct Thermal Attachment Mechanisms

JESD51-6: Integrated Circuit Thermal Test Method Environmental Conditions—Forced Convection(Moving Air)

JESD51-7: High Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages

JESD51-8: Integrated Circuit Thermal Test Method Environmental Conditions—Junction-to-Board

JESD51-9: Test Boards for Area Array Surface Mount Package Thermal Measurements

JESD51-10: Test Boards for Through-Hole Perimeter Leaded Package Thermal Measurements.

JEDEC51-12: Guidelines for Reporting and Using Electronic Package Thermal Information.

4 常用热阻值

为了更好的计算和理解 θja ,一些新的参数不断被引入,θcu 是 PCB 板上铜的热阻,θFR4 是典型 FR4 板材 PCB 的热阻,θvia 是PCB 板上过孔的热阻,θsa 是 PCB 板表面到周围空气的热阻。下图是一个典型的 PCB 扩展热阻模型。

图 4.典型的 PCB 扩展热阻模型图

5 有效散热的经验法则

散热对芯片而言是非常重要的,下图以 ADS58C48 为例,说明了在不同的温度下,芯片(高速 ADC 为例)的性能会有不同的表现,在高温下性能往往恶化。因此在设计系统时必须高度关注芯片的工作温度,轻者会影响系统的性能,重者可能会造成芯片损坏。

图5. ADS58C48 在不同温度和工作电压下的特性

5.1 选择合适的封装

从芯片手册上可以知道封装的热阻,然后可根据给定的耗散功率和环境温度估算芯片的工作结温。我们可以考虑一个简单例子(以ADS58C48 为例),器件的 AVDD 和 DRVDD 均为 1.8V,典型供电电流分别为:290mA 和 207mA。最大容许结温为 125℃。

功耗可以表示为:P=V*I=AVDD*Iavdd+DRVDD*Idrvdd=0.522+0.373=0.895W

结温 θja=24℃/W,设备工作在散热不良的密闭空间,环境温度为75℃。估算结温如下:

Tj=75+0.895*24=75+21.8=96.8℃

这个估算温度远远小于最大的结温温度,所以器件不会出现过热问题。

过程看上去很简单,但实际上很复杂。对于具体的 IC,θja 值与 PCB 板的尺寸、散热方式(风冷还是自然冷却)、板的层数、每层板的铜的厚度以及芯片周边是否存在别的发热量很高的器件相关。通常我们可以根据热成像图片做实际热阻计算:比如根据热成像图片得到该器件的最高发热区域并且读出温度变化,然后根据在该芯片上的电流电压得到它的功耗即可得出实际的热阻参数。

5.2 尽可能大面积的PCB 覆铜

对提高散热性能来说,PCB 的表层和底层是理想的散热空间。更大的 PCB,其可用于热传导的面积也就越大,同时也拥有更大灵活性,应在高功耗器件之间留有充分的空间。一般情况下,接地层铜的面积较大,能为 PCB 散热提供极好的热通路。使用宽的导线甚至铜平面,在远离高功耗器件的地方布线,可以为散热提供高效的热通路。

为了进一步说明,我们选 TPS75825(TO-263) 作为例子。其中,平均输入电压是 3.3V 下,平均输出电压为 2.5V,平均输出电流为3A,环境温度 55℃,空气流量为 150 LFM 和操作环境是相同的,如下文所述。忽略静态电流后,最大的平均功率:PDmax = (3.3 -2.5) V * 3A =2.4W

根据公式 1 可知,θja=(125-55)/2.4W=29℃/W

从下图可知,θja 与铜散热面积对比,接地层需要 2 平方厘米的面积去消散 2.4W 的能量。

图6. 热阻和铜散热区面积的关系

如果已知 θja,则从公式 1 中可以推出,该 θja 值下,不同 PCB 面积对应的不同最大耗散功率。

图7. 功耗和铜散热区面积的关系

5.3 增加铜厚度

PCB 的铜厚度增加,系统组件的热性能也就越高。铜平面,典型1 盎司铜的单位面积(1cm^2)热阻

在允许的范围内,建议使用更重的铜平面,可以有效的降低热阻。当采用 2 盎司铜的时候,单位面积的热阻就降低为:

5.4 用散热焊盘和过孔将多层PCB 连接

合理安排 PCB 多层的堆叠关系和布线,也会增加用于热传导的铜的总比重。芯片下方的 PCB 上的散热过孔有助于热量进入到 PCB 内部各层,并传导至电路板的背部。

一般情况下,热焊盘都是接地焊盘,因此内部接地层和表面接地层是最常用的最方便的散热平面。典型的半盎司铜厚的 12mil 的过孔的热阻是 261℃/W。因此在热焊盘下面用尽可能多的过孔形成矩阵。这些过孔尽可能的连接多的 PCB 铜层,可以有效的进行散热,将大大提高散热效率。

以 ADS62C17 为例,手册上为大家提供了参考的过孔设计方案。允许在热焊盘下面以 1mm 为间隔,铺设 49 个过孔,通过过孔和接地层连接在一起。7*7 的矩阵的过孔的热阻约为:261/49=5.33℃/W。

图8. ADS62C17 建议过孔方案

5.5 合理的散热结构,不影响散热路径,便于热能的扩散

合理的 PCB 散热布局可以有效的促进散热效率。PCB 板上的高散热器件应彼此分开,这种高散热器件的物理间隔可让每个器件的 PCB 散热面积最大化,从而加快散热。发散元件周围尽量不要放高大元件,影响散热;从散热的角度,PCB 垂直放置时,散热的效果更好。此时建议将高散热器件放到 PCB 的上端。

5.6 散热片的合理使用

专用导热散热片是芯片散热的一种极好方法。散热片一般位于与芯片相连的 PCB 背部或芯片的顶部,并通过合适的界面导热材料与散热源连接。为了实现最优的性能,散热片最好连接到热阻阻抗低的路径上。

图9. BGA 芯片加散热片后热阻示意图

5.7 选取合适的截面导热材料

芯片和散热器间的热界面材料层是高功耗器件封装中热流的最大障碍。选择合适的材料来填充芯片和散热器间的界面对半导体器件的性能和可靠性都十分重要。界面材料通过填充气孔和密贴接合面不光滑表面形貌来降低发热和散热单元间接合面的接触热阻。

5.8 机箱散热

条件允许情况下,利用机箱散热是很好的方案。可以在机箱的底部,顶部开窗,充分利用烟囱效应形成气流散热;利用机箱内部风扇散热也是很好的方法。

5.9 不要在散热走线上覆阻焊层

阻焊层的作用是避免在焊接过程中焊料无序流动而导致焊盘引线之间桥接短路。在设计中有大功率器件需要通过电路板散热时也可以在阻焊层上开窗,以增加散热 PCB 的面积。

6 总结

对于任何一个有效的设计,热设计都是必须要考虑的,应该在出现问题之前就充分考虑,减少出错的可能性。本文详细描述了标准封装的热特性的一些主要参数:热阻(θja、θjc、θca)等参数,并提出了在实际系统中热计算和热管理的一些经验方法。希望使电子器件及系统设计工程师能明了热阻的相关原理及应用,以解决器件及系统过热问题。

『本文来源于EDA365电子论坛,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』

阿昆聊散热片的散热原理以及如何查看芯片热阻参数及计算方式

我们都知道,在使用一些线性电源芯片的时候,如常用的78XX(如7805)、1117系列等,一般电流过大,或压差过大时,产生的功耗就会较大,此时芯片会发热严重。

这个时候,如果超出芯片(内部晶圆结温)的长时间耐温极限,不加装散热器装置给它散热,电源芯片就过进入保护状态停止工作,或者烧坏。

如图,芯片工作功耗大,需增加一个散热器

如图,实际电路工作电流小,功耗小,芯片本身能抗住功耗带来的热量 ,不需要散热片(当然说到本质上,是芯片本身的封装结构也一个散热器,它根本上是给内部的晶圆散热),这个大家要理解,我们说的散热本质上是给晶圆散热,如果封装材质好,可能散热效果也会相应的好,起到散热器的作用。

那对于散热有几种方式呢,这个应该在初中物理有学过,分别是有三种:

1:热传导

热量从系统的一部分传到另一部分或由一个系统传到另一系统的现象叫做热传导。

这是最常见的一种散热传导方式。热传导就是从A传到B,这个很好理解,上图就是散热片贴着芯片进行热传导,这也是本次文章中要讲到的内容。

2、热对流、

液体或气体中较热部分和较冷部分之间通过循环流动使温度趋于均匀的过程。比如散热片表面的温度通过空间的流动起到了降温作用,这是一种被动对流,还有一种主动对流,就是我们常见的使用风扇对着被散热物料来吹,这种在一些普通加装散热片方式不够的时候的一种补充。最常见的就是电脑CPU就是加了一个大散片进行传导散热,还要加一个大风扇进行对热对流散热。

3、热辐射。

热辐射是物体因自身的温度而具有向外发射能量的本领,如果有关注阿昆之前文章,应该有印象,阿昆之前介绍过一款碳米碳的散热材料,这就是通过材料的特殊性,通过热辐射原理来主动散热。(严格说是先通过热传导将热量传到铜皮上,再通过钠米材料以红外方式热辐射出去)

有兴趣的朋友可以查看:阿昆聊神奇的”纳米碳“散热片(图文版)

总结下来就是 热传导主要发生在稳压电源芯片和散热片之间,而热对流是发生在散热片和周围空气中,热辐射是指散热器向周围空气释放热量。在不加风扇的情况下,热传导是线性电源芯片最主要的散热途径。

性线电源(包括其它芯片)加了散热片后的散热路径如下:

第一步:管芯(晶圆)发出的热量到管壳(可以理解成晶圆的封装外壳)

第二步:再从封装传递到散热片

第三步:散热片上的热量传到了周围流动的空气中。

整个过程也有热辐射和热对流参与,但实际相对于热传导起的作用可以忽视。

电源芯片最大允许的功耗是取决于晶圆的最高结温TJM,只有当温度小于TJM的时候,芯片才能正常工作。所以散热越强,晶圆表面的结温就会越低,它就能承受的功率也越大。比如加了散热片后,输出电流可以从500MA提高到1A。

关于这个芯片的结温我们可以通过数据手册查看,比如这个长电的TO-220封装的 7805,有一条写着工作温度范围是0--150度。

这是TO-252封装的晶圆结温,会比TO-220的低点,事实上可能同一个封装甚至同类系列,不同厂家的晶圆因工艺设计问题,结温都有点不同。

说完结温,我们说下散热器它的散热能力用什么表示呢?有个参数叫热阻。可以当成电阻来理解,电阻是阻碍电流传递,热阻就是阻止热传递。它是用来表明各种材料热传导性能的物理量 ,也就是说和材料直接相关。比如铜的热阻小于铁的,所以铜散热效果要好于铁。它以单位功耗下材料的温升来表示。单位是℃/W.温升越低,说明材料的散热能力越强,热阻小。打个比方,同样一个10W的功耗产生在同体积的铜和铁上,铜表面温度升高了2度,铁升高了6度。

给芯片加散热器后就可以减小总热阻。热阻的分布情况如下:

1、从晶圆到外壳封装的热阻RJC

2、从外壳到散热片表面的热阻RCS

则从晶圆到散热器表面的热阻就是RJC+RCS

3、从散热片到空气的热阻RCA

那总热阻RCA=RJC+RCS+RCA

关于功耗计算方式:

如果没有加散热片时总热阻为RJA(JA理解成是结温(J)到空气(AIR),这就好记了) ,稳压器最高允许的结温是TJM,最高环境温度为TAM,加散热片器件的实际功耗为PD ,其关系:PD=(TJM-TAM)/(RJA)=(最高结温-工作环境温度)除以总热阻。

每个电源芯片在规格手册里都会有这个RJA参数,即没有加散热片的热阻,我们看一下不同芯片的热阻情况:

从以上可以看出,封装最小的1117系列,从晶圆到空气中的热阻达到100,散热最差,而252和220封装接近,之所以TO252封装的热阻80比TO220封装的83.3低一点好一点,是和其表面大小有点关系。

如果PDM表示最大允许功耗,PD‘为设计功耗,那么也要满足如下关系:

实际功耗PD<设计功耗<最大允许功耗(说到底就是够余量)

比如芯片最大功耗为10W,工作电路实际功耗为2W,那我们在设计上要设计到4W以上,至少要留个一们安全余量。

最大允许功耗PDM也可以在手册中看到:

散热片到空气的热阻计算方式:

那从散热器到周围空气的热阻RCA=(芯片结温-工作环境温度)/实际功耗-芯片不加散热片的热阻RJA。

这个RJA就后面在设计散热片大小的时候要用到的值了。

大家对电源芯片、散热片、热阻概念明白了一点吗?

相关问答

ic热阻与什么有关?

半导体器件热量主要是通过三个路径散发出去:封装顶部到空气,封装底部到电路板和封装引脚到电路板。电子器件散热中最常用的,也是最重要的一个参数就是热阻(Th...

怎样测LED的热阻?

1:结温=PN结与环境温度的热阻×功率+环境温度。2:PN结与环境温度的热阻=LED内部热阻+LED外部热阻。3:LED内部热阻=芯片的热阻+衬底焊料的热阻+LED...1:结...

芯片用什么材料做成的?

硅半导体。芯片一般是用硅半导体制造的,其上的元器件采用扩散工艺制造,元器件的连线一般是铝线。芯片的耐热程度取决于硅半导体的材质、制造工艺以及封装的散...

mos管导通电阻与温度关系?

如果驱动电压小于10v,那就太有关系了,mos管都没有完全打开,内阻会比较大,温升肯定大,如果你指的是>10v的驱动电压,看你应用在什么场合了,低频场合驱动电...半...

LED灯为什么使用一段时间后会变暗_作业帮

[回答]1、首先电源是电池的话,请看看电池还有没有电2、如果是外接电源的话,考虑光衰啦,主要是由LED芯片决定的.LED光衰是指LED经过一段时间的点亮后,其光...

功率电流热耗怎么计算?

功耗P=UI热功耗TDP=Tj-Ta=Pc(RTj+RTc+RTf)=PcRTz式中:Tj为热源温度,芯片晶体管结温Ta为环境温度Pc为热源功率,芯片晶体管热功耗RTj为芯片晶体管到外壳的热...

好基友们!有谁能解答一下吗:常熟隧道防爆型风量调节阀,防...

[回答]扇风量1.电器热量(H)=热功率(P)*秒(t)/4.2单位焦耳2.风扇散热量(H)=比热(C)*质量(m)*温差(△t)3.质量(m)=风量(CFM)*密度(ρ)*时间(t)可...如果温...

LED灯珠和LED芯片有什么区别?

1、两者的光线集中度不同,射程也不同:LED灯珠的角度做的非常小,属于光线比较集中,射程的很远,但是照射范围有限;而LED贴片的一般角度做的都很大,属于光线...

半导体IGBT测试条件中Tj=150℃是什么意思?-187****0870...

温测试,高温测试的一般是TJ=125C-150C。可以通过...可以通过基板加热,或者自行购买烘箱去实现。西安易恩电气是专门搞这个的测试的,可以去问问他们...

彩灯亮度弱什么原因?

1、采用的LED芯片体质不好,亮度衰减较快。2、生产工艺存在缺陷,LED芯片散热不能良好的从PIN脚导出,导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。二、使用条件问...

猜你喜欢