芯片技术纵览，力生美PWM控制器芯片优势解析

前言

PWM控制器，亦称为脉宽调制控制器，是一种通过微处理器的数字输出来精确控制模拟电路的非常有效的技术。这种控制方式在模拟电路领域中极为高效，它能根据负载的变化来调整晶体管的栅极或基极偏置。这一过程实现了对开关稳压电源输出晶体管或晶体管导通时间的精确调节，从而有效控制电源输出。

也因此它广泛应用于各类电源拓扑的控制，包括反激式、升压、推挽、正向和降压等。其支持多种拓扑配置，使得设计人员可以灵活地创建多样化的电源设计方案。这些控制器特别适用于各种终端设备中的直流/直流和交流/直流电源转换电路，提供了一种高效、可靠的电能管理解决方案。

力生美PWM控制器芯片

充电头网总结了力生美推出的多款PWM控制器芯片，并汇总成下表所示，详细介绍了这些芯片的具体型号以及相关特性。

力生美LN9T27GDH

力生美LN9T27GDH是一颗内置680V开关管的开关电源芯片，采用电流模式控制，具有低待机功耗，低成本以及高性能优势。

芯片待机功耗低至50mW，内置的软启动电路可以降低开关冲击，增强的轻载控制优化了转换效率，芯片内置逐周期电流限制，支持输出过流、过载和短路保护，支持45W功率输出。

力生美 LN9T27GDH 详细资料。

力生美LN9T33HV

力生美LN9T33HV是一款最高支持75V供电的高性能AC/DC开关电源PWM功率开关，专为PD/QC等多款输出变化系统而设计，内置高压MOSFET的宽VCC电压供电大功率开关电源芯片，内置650V MOSFET高压功率开关，可在85~265Vac 的宽电网电压条件下工作，满足全球电网应用要求。

LN9T33HV满足DoE6级及CoC V5能效要求，无负载待机功耗可低至50mW以下，内置软启动控制电路降低开关机冲击，内置第二代C.Y.™技术优化EMI性能，内置振荡器且具有最大65KHz频率限制。

LN9T33HV还提供了非常完善的具有自动恢复功能的保护电路，包括逐周期电流限制，具有高低压补偿功能的输出过载保护，VDD过压保护与欠压锁定功能，可外部设定反馈开环时输出过压精确保护功能和输入欠压功能。采用力生美半导体自主研发的TSIP7封装形式，体积小，易于安装散热。

力生美LN3C61AF

LN3C61AF是一款高性能、高度集成的PWM控制器芯片，支持9~40V的工作电压，易于构建低待机功耗、低成本、高性能的解决方案，并满足低于500W功率的CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准。

LN3C61AF的最大开关频率可达130kHz，允许使用相对较小的变压器尺寸来完成设计。在全谷开关模式下开关损耗非常低，同时待机功耗低，能效高，具有低频起动特性控制优化起动性能，软钳的高度可靠的低EMI栅极驱动器。

LN3C61AF非常小的死区控制使系统能够在接近临界导通模式下工作，以提高变压器的利用率，具备优于传统的SSR/SR控制器架构。PWM/PFM/PBM模式多段曲线控制模式的操作进一步优化了系统在不同负载下的转换效率，特别是在轻载转换效率下，轻载条件将自动锁定峰值电流阈值以保持有效的转换，分段调制设计使系统具有高转换效率同时有效地避免听觉噪音，待机功耗可低至50mW以下。

力生美LN3C66A

LN3C66A是一款高性能、高度集成的电流模式PWM控制器。该芯片内置峰值负载功率控制功能，可轻松构建大型峰值负载，达到2~10倍，低待机功耗、低成本、高性能的解决方案，符合低于200W或更高功率的CoC V5和DoE LEVEL VI的能效要求。

PWM开关频率由芯片内部设置，并具有全温度补偿。在QR模式下，最大PWM开关频率设置为77 kHz，在峰值负载时可达到130 kHz。IC可以在QR谷值切换和智能突发模式下运行，以减少空载或轻载条件下的开关损耗，从而实现良好的转换效率，同时具有低待机功耗。VDD低启动电流和工作电流可以使LN3C66A具有非常高的可靠性和使用寿命，可以使用较大值的电阻完成电路启动，从而减少了功耗损失。

力生美LN3C69A

LN3C69A是一款高性能、高度集成的电流模式PWM控制器，具有高压启动功能。它易于构建低待机功耗、低成本、高性能的解决方案，满足低于200W或更高功率的CoC V5和DoE LEVEL V的能效要求。

PWM开关频率由芯片内部设置，并具有全温度补偿。最大PWM开关频率在OR模式下设置为77 kHz，在峰值负载时可达到130 kHz。IC可以在OR谷值切换和智能突发模式下运行，以减少空载或轻载条件下的开关损耗，从而实现良好的转换效率，同时具有低待机功耗。VDD低启动电流和工作电流可以使LN3C69A具有非常高的可靠性和使用寿命，可以使用较大值的电阻来完成启动电路，从而减少了启动电阻的损失，进一步降低系统待机功耗。

充电头网总结

力生美推出的多款初级PWM控制器系列展现了其在电源管理技术方面的强大能力。这些芯片均具备智能数字电源控制功能，功耗极低，覆盖多种操作模式如突发模式、脉频调制以及连续导通模式，可以提供高效的电源调节，还内置了Vcc自保持、抖频技术改善EMI性能、自适应MOSFET栅极驱动等特性。此外，这些芯片还包括全面的保护机制，如过载保护、变压器饱和保护和过温保护等，确保系统的安全可靠，可为各类电子设备提供了高效、稳定且可靠的电源解决方案。

日辉达取得开关电源互补推挽电路专利，增加主控芯片对 PWM 开关管的驱动能力

金融界 2024 年 7 月 12 日消息，天眼查知识产权信息显示，深圳日辉达电源股份有限公司取得一项名为“一种开关电源互补推挽电路“，授权公告号 CN221328821U，申请日期为 2023 年 11 月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种开关电源互补推挽电路，包括 EMC 电路、交直流转换电路以及开关电源控制电路，所述 EMC 电路与所述交直流转换电路电性连接，所述交直流转换电路与开关电源控制电路电性连接，所述开关电源控制电路包括依次电性连接的主控芯片 U1、互补推挽电路以及 PWM 开关管 Q1，所述主控芯片 U1 内部电路产生的开关管驱动信号经过互补推勉电路实现对 PWM 开关管 Q1 的控制，可以增加主控芯片 U1 对 PWM 开关管 Q1 的驱动能力，同时控制产品制造的成本，提高产品的市场竞争力。

本文源自金融界

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