新型存储器芯片，新存科技震撼发布

新存科技(武汉)有限责任公司（以下简称“新存科技”）于2024年9月23日隆重宣布，公司自主研发的国产首款最大容量新型三维存储器芯片——“NM101”成功面世。这一突破性成果展示了中国在新型存储芯片领域的自主研发实力，也推动了国内相关终端应用产业的蓬勃发展。

新存科技作为一家专注于新型三维存储芯片研发、生产与销售的高科技企业，自成立以来便致力于技术创新。此次发布的“NM101”芯片，正是公司多年研发努力的结晶。该芯片采用了创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，利用先进工艺制程，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件，实现了存储架构上的重大突破。

与市场上大容量非易失性产品相比，“NM101”芯片展现出了显著的优势。其单颗芯片容量高达64Gb，支持随机读写，读写均可提速10倍以上，同时寿命增加了5倍。凭借这些卓越指标，系统解决方案的性能可以得到大幅提升，进而为虚拟化、数据库等应用领域的终端用户带来更加优质、高效的服务。

“‘NM101’的研发成功，是新存科技团队多年自主研发的成果。这款芯片可以为我国的数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案，彰显了国内新型存储技术持续创新的特点。我们期待这款产品能够为国产存储芯片生态的繁荣贡献一份力量。”

华中科技大学集成电路学院的缪向水教授对“NM101”的问世给予了高度评价。他认为，这一产品正是新存科技与华中科技大学长期以来开展深度“产学研”合作结出的丰硕成果。新存科技把握住了我国半导体产业变革机遇，加速了国产新型存储器产业化进程，显著降低了我们对国外存储技术的依赖。“NM101”作为新质生产力的杰出代表，可以助力国内数字基建升级，为产业界合力打造数字产业集群添砖加瓦。

随着“NM101”的正式上市，新存科技会继续投入研发资源，不断优化产品性能，扩充产品线，以满足市场的多元化需求。同时，公司也将深化与上下游生态伙伴的合作，共同探索新型存储技术在海量数据训练推理等领域的应用，期待解决长期以来困扰业界的“存储墙”难题，为行业长久健康发展注入新的活力。展望未来，中国的新型存储产业必将绽放出更加耀眼的光芒！

新存科技发布国内最大64Gb单芯片容量3D新型存储器芯片NM101

IT之家 9 月 27 日消息，据“半导体行业观察”报道，新存科技 (武汉) 有限责任公司本月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。

NM101 基于新型材料电阻变化原理，采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件，单芯片容量达 64Gb 。

新存科技 NM1013D 存储器芯片支持随机读写，较市面已有大容量非易失性产品读写均提速 10 倍以上的同时寿命也增加了 5 倍 ，能大幅提升系统解决方案的性能。

新存科技总经理刘峻表示：

NM101 的研发成功，是新存科技团队多年自主研发的成果。

这款芯片可以为我国的数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案，彰显了国内新型存储技术持续创新的特点。

我们期待这款产品能够为国产存储芯片生态的繁荣贡献一份力量。

新存科技官网资料显示，该公司成立于 2022 年 7 月，专注于 SCM（IT之家注：存储级内存）类别新型存储芯片的研发、生产、销售。

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