芯片失效分析常用方法及解决方案
一般来说,芯片在研发、生产过程中出现错误是不可避免的,就如房缺补漏一样,哪里出了问题你不仅要解决问题,还要思考为什么会出现问题。随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
失效分析是一门发展中的新兴学科,近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现失效的现象,找出失效的原因,挖掘出失效的机理的活动。失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。失效分析基本概念
1.进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
2.失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3.失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
4.失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。失效分析的意义
失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。芯片开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。
SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。
EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。
OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。
X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。
SAM (SAT)超声波探伤:可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:o晶元面脱层,o锡球、晶元或填胶中的裂缝,o封装材料内部的气孔,o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。
1、收集现场场数据
2、电测并确定失效模式 电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
3、非破坏检查
X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout 优势:工期短,直观易分析 劣势:获得信息有限 局限性:1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同; 2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。案例分析:X-Ray 探伤----气泡、邦定线
X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)
“徒有其表”
下面这个才是货真价实的
X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)
X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)
(下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)
4、打开封装 开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。
机械开封 化学开封
5、显微形貌像技术 光学显微镜分析技术 扫描电子显微镜的二次电子像技术 电压效应的失效定位技术
6、半导体主要失效机理分析
正常芯片电压衬度像失效芯片电压衬度像
电压衬度差像 电应力(EOD)损伤 静电放电(ESD)损伤 封装失效 引线键合失效 芯片粘接不良 金属半导体接触退化 钠离子沾污失效 氧化层针孔失效 针对失效分析企业该如何做?
一、培养失效分析队伍 难做不等于不能做。对于绝大多数企业而言,根据自己的实力来装备培养自己失效分析队伍也是需要的。一般的企业做失效分析可以先配备一个晶体管图示仪,好点的国产货也就万把块钱。在一个仪器上培养这方面的人,就比全面铺开要方便很多。而通过晶体管图示仪基本上可以把失效器件定位到失效的管脚上,如果条件好,还能确认是电过应力损坏还是静电损坏。知道了这两点就可以帮助开发人员检查设计,而如果是静电损伤,则可改善生产使用的防护条件了。
二、建立金相分析实验室 如果想要再进一步分析,则需要建立一个金相分析实验室了。这所需要的设备为:金相显微镜、体视显微镜和切割机、磨抛机及制样的耗材了。如果有了这样的实验室,除了可以看各种元器件的表面损伤外,还可以通过制作切片的方法观察内部情况。而且实验室到了这个层次,不仅仅可以用作元器件的失效分析,也可以用于焊接组装工艺失效的检查,比如检查焊接情况、金属间化合物的生成情况等。而且这时还可以用于元器件的最初认证及进行破坏性物理分析。到这个阶段基本上投入就比较大了。如果使用全套进口设备,那么总价至少也要60~90万人民币左右。如果使用国产设备那么投入可以少很多。采用全套国产设备,基本上可以在10万人民币以内完成。此时对人员素质上,需要有了解电子元器件材料科学、半导体物理学的人员进行相关工作。对于集成电路而言,很多失效都是发生在键合系统上的,也就是管脚和集成电路芯片的连接上。用金相切片的方法,很多时候会破坏芯片的键合系统。这时候,可能会用到开封机来打开集成电路表面的塑料材料。对于很多企业而且言,这个东西就太贵了,往往要几万美元。而且还要经常更换喷嘴之类昂贵的耗材,所以很多企业干脆就不买这个东西,采用手工开封的方法进行,youtube上甚至可以看到老外这么干。不过开封需要使用到强酸,有些化学药品还属于国家管制药品,需要到公安局去备案。而且实际实施时,不论是用开封机还是手工开封,都需要在通风厨中进行,做好个人防护。对于人员而言,除了上述知识外,要动用强腐蚀的化学药品,原则上要有“危险化学品作业证”。
三、借助失效分析公司或者高校 一般的企业做到以上这个层次就可以了。如果在进行上述分析后还无法定案,这时候可以到社会上的失效分析公司,或者到大学高校中去,租借他们的设备进行分析。对于怀疑有来料问题做造成的批次失效鉴别时,则一定要去具有IEC 17025认证的实验室去做第三方分析鉴定。他们出具的报告才有法律效力。如果一个企业要把自己的企业做成百年老店,就必须要有质量过硬的产品。而失效分析是发现质量问题的重要手段,对提升质量有重要意义,希望我们的失效分析不再尴尬。
总结 开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。对于失效分析来说也是如此,只有将失效分析进行彻底了,才能迎来更好的技术发展。
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全芯智造取得芯片失效模式的确定方法、终端专利,能够提高芯片失效分析的准确度
金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,全芯智造技术有限公司取得一项名为“芯片失效模式的确定方法、终端“,授权公告号 CN113823349B,申请日期为 2021 年 8 月。
专利摘要显示,一种芯片失效模式的确定方法、终端,所述方法包括:获取芯片在多个测试电压下的失效比特;对所获取到的失效比特进行失效模式运算,获得至少一个失效比特组以及每一个失效比特组的失效模式,其中,所述失效比特组包括至少一个测试电压下的失效比特;基于所述失效比特组的失效模式,确定所述失效比特组中失效比特的失效模式。通过本发明方案能够提高芯片失效分析的准确度。
本文源自金融界
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