英飞凌宣布氮化镓芯片技术突破，瞄准数十亿美元市场

来源：环球网

【环球网科技综合报道】9月12日消息，据路透社等媒体报道，德国半导体制造商英飞凌于当地时间周三宣布，在氮化镓（GaN）芯片领域取得技术突破，并计划在未来不断增长的市场中占据显著份额。该公司首席执行官Jochen Hanebeck向媒体透露，预计到2020年，氮化镓芯片技术的市场规模将达到数十亿美元。

英飞凌

氮化镓作为芯片制造中硅的替代品，因其高效率、高速度、轻量化以及在高温和高电压环境下的优异性能而受到业界青睐。这种新型芯片可广泛应用于笔记本电脑、智能手机和电动汽车等设备的充电器制造中，有助于实现充电器的小型化。

Hanebeck表示，英飞凌已成功在300毫米晶圆上生产出氮化镓芯片，据称这是全球首次实现这一技术突破。相比200毫米晶圆，300毫米晶圆上可容纳的氮化镓芯片数量提高了2.3倍，从而有效降低了生产成本。他进一步指出，这一技术进步将使氮化镓芯片的市场价格在未来几年内有望接近硅芯片的价格水平。

茂睿芯合封氮化镓芯片系列详解，从20W到65W全面覆盖

前言

在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。

为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，目前已有众多电源芯片厂商着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线。这些芯片能够将氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能整合在一颗芯片上，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅能够提升整体方案的性能，还有助于减少PCB板的占用空间、缩小产品尺寸，并削减物料成本。此外，它们还有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，减小振铃现象，从而降低了开关损耗。这些芯片也不容易受到初级电流干扰，提高了系统的可靠性和开关速度。电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试工作，从而加速产品研发周期。

合封氮化镓芯片的应用范围广泛，包括电子设备、通信设备、电动汽车充电器、工业电源以及可再生能源系统等。这些芯片不仅可以提供高效的电源转换，还常常包括多种保护功能以确保电源系统的安全性和可靠性。

茂睿芯20-65W合封氮化镓芯片

充电头网总结了茂睿芯推出的多款合封氮化镓芯片，功率范围涵盖20W-65W，并汇总成上表所示，详细介绍了这些芯片的具体型号以及相关特性。

接下来充电头网将对以上多款芯片进行一个详细讲解。

茂睿芯MK2785

MK2785是一款高频QR控制器，专为PD/快速充电应用优化，这款芯片内置700V 1.6Ω GaN，开关频率为130Khz，宽VCC工作电压范围（9V-85V）使其能够覆盖3.3V-21V输出范围的PD/PPS，而无需使用额外的VCC绕组或线性降压电路。

为了在不同负载下实现从通用线路的高效率，MK2785能够自适应地在DCM/QR模式下运行。在轻负载时，它将以Burst模式工作以提高效率。

MK2785采用ESOP-8封装，提供多种保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、Brown in/out、次级侧SR短路保护（SSCP）和CS短路保护。

茂睿芯MK2786

MK2786是一款高频QR控制器，专为PD/快速充电应用优化，这款芯片内置700V 1Ω GaN，开关频率为130Khz，宽VCC工作电压范围（9V-85V）使其能够覆盖3.3V-21V输出范围的PD/PPS，而无需使用额外的VCC绕组或线性降压电路。

为了在不同负载下实现从通用线路的高效率，MK2786能够自适应地在DCM/QR模式下运行。在轻负载时，它将以Burst模式工作以提高效率。

MK2786提供多种保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、Brown in/out、次级侧SR短路保护（SSCP）和CS短路保护。MK2786采用ESOP-8封装，适用于20W功率应用。

茂睿芯MK2787

MK2787是一款高频QR控制器，专为PD/快速充电应用优化，这款芯片内置700V 365mΩ GaN，开关频率为130Khz，其宽广的VCC工作电压范围（9V-85V）使其能够覆盖3.3V-21V输出范围的PD/PPS，而无需使用额外的VCC绕组或线性降压电路。

为了在不同负载下实现从通用线路的高效率，MK2787能够自适应地在DCM/QR模式下运行。在轻负载时，它将以Burst模式工作以提高效率。

MK2787提供多种保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、Brown in/out、次级侧SR短路保护（SSCP）和CS短路保护。MK2787采用ESOP-8封装，适用于33W功率应用。

茂睿芯MK2787S

相比MK2787，MK2787S内置700V 470mΩ GaN，内阻提升可满足更多的特定功率需求，更适合于一些特定的电源和充电器设计。

MK2787S是一款高频QR控制器，专为PD/快速充电应用优化，这款芯片内置700V 470mΩ GaN，开关频率为130Khz，其宽广的VCC工作电压范围（9V-85V）使其能够覆盖3.3V-21V输出范围的PD/PPS，而无需使用额外的VCC绕组或线性降压电路。

为了在不同负载下实现从通用线路的高效率，MK2787S能够自适应地在DCM/QR模式下运行。在轻负载时，它将以Burst模式工作以提高效率。

MK2787S提供多种保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、Brown in/out、次级侧SR短路保护（SSCP）和CS短路保护。MK2787S采用ESOP-8封装，适用于33W功率应用。

茂睿芯MK2788

MK2788是一款高频QR控制器芯片，内置650V 365mΩ GAN FET，针对PD/快充应用进行了优化。其宽范围的VCC工作电压（9V-85V）使其能够覆盖PD/PPS 3.3V-21V的输出范围，且无需额外的VCC绕组或线性降压电路。

MK2788工作频率高达130kHz，为了在不同负载条件下从通用线路实现高效率，MK2788可以自适应在DCM/QR模式下运行。在轻载时，它将以突发模式工作以提高效率。MK2788提供全面的保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、欠压启动/关断保护、次级侧SR短路保护和CS短路保护。

MK2788采用DFN5x6封装，适用于快充适配器等领域。

茂睿芯MK2789

MK2789是一款高频QR控制器芯片，内置700V 165mΩ GAN FET，支持65W功率应用，专为PD/快充应用进行了优化。宽VCC工作电压范围（9V-85V）使其能够覆盖PD/PPS 3.3V-21V的输出范围，无需额外使用VCC绕组或线性降压电路。

MK2789采用了LD-GaN™技术，可大幅提高65W氮化镓快充的可靠性。此外，采用独有的处于行业领先地位的高压技术，Vcc耐压高达110V，PPS应用无需稳压电路；专利软驱技术，可有效降低同步整流管电压应力；高频QR控制技术，提高效率的同时，能有效减小变压器尺寸。

MK2789工作频率高达130kHz，为了在不同负载下从通用电源线实现高效率，MK2789能够自适应在DCM/QR模式下运行。在轻载时，它将采用突发模式工作以提升效率。MK2789提供全面的保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、欠压启动/关断功能、次级侧SR短路保护和CS短路保护。

MK2789采用DFN6x8封装，适用于快充适配器等领域。

茂睿芯MK2789S

MK2789S是一款高频QR控制器芯片，相比MK2789为内阻提升到了350mΩ，支持45W功率应用，专为PD/快充应用进行了优化。其宽VCC工作电压范围（9V-85V）使其能够覆盖PD/PPS 3.3V-21V的输出范围，无需额外使用VCC绕组或线性降压电路。

MK2789S工作频率高达130kHz，为了在不同负载下从通用电源线实现高效率，MK2789S能够自适应在DCM/QR模式下运行。在轻载时，它将采用突发模式工作以提升效率。MK2789S提供全面的保护功能，包括输出过压保护（OVP）、输出过功率保护（OPP）、VCC过压保护、欠压启动/关断功能、次级侧SR短路保护和CS短路保护。

MK2789S采用DFN6x8封装，适用于快充适配器等领域。

充电头网总结

第三代半导体氮化镓技术的成熟，催生了高密电源的大规模的普及。而消费类电源产品凭借迭代迅速的优势，率先实现了氮化镓技术的规模化商用，并获得市场一致认可。对于小功率高密电快充电源而言，近年来衍生出的合封氮化镓芯片无疑是理想选择，既能减少PCB板面积，也有助于降低成本。

茂睿芯科技有限公司是一家致力于高性能模拟和混合信号集成电路设计、研发、销售与技术服务的公司，产品主要定位于高性能电源管理、汽车电子、功率驱动模块、电机驱动及传感器技术等应用。本次针对20W-65W电源推出的合封氮化镓芯片系列，一方面是对现有产品线的拓展和完善，同时也体现出茂睿芯紧跟时代步伐，积极布局第三代半导体产品线的能力。

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