中科无线半导体申请一种耗尽型GaN的开关电源结构专利，实现芯片供电功能从而省掉辅助绕组简化系统电路

金融界2024年9月27日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种耗尽型GaN的开关电源结构”的专利，公开号CN 118694147 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种耗尽型GaN的开关电源结构，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中不能很好控制耗尽型GaN开关速度和需要串接NMOS管耐压过高的问题。本发明提出一种通过调节NMOS管驱动电流的方式来驱动耗尽型GaN源极电压，从而实现功率管的开关速度可控的耗尽型GaN驱动方法。利用耗尽型GaN和NMOS管串接的中间节点可以实现信号检测，简化系统谷底检测电路。同时利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片上电取电功能，从而简化系统的上电电路，降低系统待机功耗。进一步的可以利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片供电功能，从而省掉辅助绕组Laux和二极管D8，简化系统电路，降低成本。

本文源自金融界

谈谈开关电源电源管理芯片的工作原理。1

谈谈开关电源电源管理芯片的工作原理。1，启动电阻由120K，由310伏电压，到达7脚为2mA电流左右。由100uF/50V电容升压至16伏以上。形成振荡产生5伏基准电压。2，自建立二次自启动电压。由310伏电压流过L1绕组，经漏极与源极至电流取样电阻至GND。（m0s管导通状态）建立储能电感。当m0S管截止时，电感电势和电压叠加超过800伏左右，由R，C，D尖峰吸收电路将高压及时效电，等待m0S管导通。主要快恢复二极管FR一207快恢复时间为10uS，正向导通电压为0点4伏，反向耐压≥1000伏。同时L2感应电压经快恢复二极管FR一107整流滤波降压为二次自建启动电压接芯片7脚。使稳定的16伏以上电压。L3感应电压经肖特基势垒二极管整流滤波作为输出电压。3，由内部5伏分压为2点5伏作为2脚电压比较器。由3脚基准电压1伏为电流取样电压比较，当电流取样电压大于1伏，使6脚停止输出。由8脚输出5伏外接10K接4脚并接103电容接GND。产生ctxRt为高频振荡频率。同时产生锯齿波由4脚输入去触发0Sc方波产生PWM脉宽调制方波，由6脚控制mos管导通或截止占空比。4，由输出电压经分压为2点5伏作为TL一431门极电压，当输出电压波动其阴极k与阳极A接地。由PC817光耦。1与2脚为发光二极管随电压波动发光强弱使光敏三极管导通状态变化，即是反馈电压随尖源变化，反绩电压变化，由二次自建启动电压接4脚，3脚由电阻接地。4脚反馈电压接芯片2脚电压比较器与内部2点5伏电压比较产生△电压变化，去控制PWM脉宽调制方波使mos管导通与截止占空比改变。使开关变压器感应电压变化，更稳定输出电压。关于LM358电压比较器，转灯风扇旋转，防反接电路不再赘述。

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