度亘核芯光电技术（苏州）申请一种半导体激光器及半导体激光器制备方法专利，减少激光芯片近腔面的热效应，提升腔面的可靠性

金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，度亘核芯光电技术（苏州）有限公司申请一项名为“一种半导体激光器及半导体激光器制备方法“，公开号 CN202411148081.X，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器及半导体激光器制备方法；本发明提供的半导体激光器包括激光芯片；在激光芯片的前腔面和后腔面中至少一个靠近腔面区域不设置 P 型欧姆接触层和 P 型电极层中的至少一个，能够减少对于光纤耦合时反射回激光芯片腔面的激光的吸收，进而可以减少激光芯片近腔面的热效应，提升腔面的可靠性。同时在晶圆切割裂片时，由于近腔面不设置 P 型欧姆接触层和/或 P 型电极层，因此能够避免因金属拉丝延伸到腔面边缘而造成光的反射与吸收，进而造成光的非线性效应以及热效应，导致的 COMD 失效的问题。

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长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度

金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法“，公开号CN202410534321.3，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本申请公开了高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，其中高功率半导体激光芯片性能评估方法包括：在待测芯片N面电极上设置窗口；使待测芯片保持工作状态，待测芯片量子阱有源区产生自发辐射；使自发辐射成像于待测芯片外部；在待测芯片外部通过光谱仪获取自发辐射的光谱，得到待测芯片在工作状态下的量子阱温度的二维分布；在待测芯片外部通过CCD相机获取自发辐射成像的图像，得到待测芯片在工作状态下的量子阱内载流子的二维分布。本申请公开的高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，能够获得分辨率自由调节的工作状态下待测芯片量子阱内温度与载流子浓度的分布，操作方便，简单易行，有效提高评估结果准确度。

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