集创北方申请一种双向缓冲器、缓冲器、芯片和显示面板专利，降低双向缓冲器成本提高效率

金融界 2024 年 7 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，北京集创北方科技股份有限公司申请一项名为“一种双向缓冲器、缓冲器、芯片和显示面板”，公开号 CN202410572214.X，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种双向缓冲器、缓冲器、芯片和显示面板，其中，该双向缓冲器包括：第一端、第二端、第一传输模块和第二传输模块；第一传输模块包括第一逻辑门、第二逻辑门、第一 PMOS 管和第一 NMOS 管；第一传输模块用于在第一 PMOS 管或第一 NMOS 管导通的情况下将数据从第一端传输至第二端；第二传输模块包括第三逻辑门、第四逻辑门、第二 PMOS 管和第二 NMOS 管；第二传输模块用于在第二 PMOS 管或第二 NMOS 管导通的情况下将数据从第二端传输至第一端；本申请的双向缓冲器通过使用逻辑门控制 MOS 管的通断状态，可以实现双向驱动的能力，并可以有效地降低双向缓冲器的整体面积，从而降低双向缓冲器的成本，提高双向缓冲器的效率。

本文源自金融界

三星申请半导体封装专利，缓冲器芯片被引线键合到存储器管芯

金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装“的专利，公开号CN117596899A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体封装，其中缓冲器芯片被引线键合到存储器管芯。该半导体封装包括半导体管芯堆叠、连接到第一组半导体管芯的第一组引线键合、连接到第二组半导体管芯的第二组引线键合、以及缓冲器芯片。第二组半导体管芯在第一组半导体管芯上。缓冲器芯片包括靠近半导体管芯堆叠的第一组管芯键合焊盘以及远离半导体管芯堆叠的第二组管芯键合焊盘。第二组引线键合延伸以连接到缓冲器芯片的第一组管芯键合焊盘，并且第一组引线键合延伸以连接到缓冲器芯片的第二组管芯键合焊盘。

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