三星开始量产第九代QLC V-NAND闪存芯片

三星已开始量产用于下一代大容量固态硬盘的新型 QLC V-NAND 芯片。该制造商在官方博客中称，其第九代 QLC V-NAND 结合了人工智能时代的"多项突破性技术"，在密度提高、容量增大、速度提升和能耗降低等方面实现了多项改进。

继2024 年 4 月开始生产的第九代 TLC V-NAND 内存之后，三星又推出了新的 1Tb quad-level cell (QLC) V-NAND 芯片。三星表示，新的 QLC 芯片将"满足人工智能时代的需求"，尤其是在企业固态硬盘市场。三星公司闪存产品与技术执行 IP SungHoi Hur 就该公司下一代 QLC V-NAND 内存芯片的推出发表了以下看法：

QLC 第 9 代 V-NAND 的成功量产仅比 TLC 版本晚四个月，这使我们能够提供满足人工智能时代需求的全系列先进固态硬盘解决方案。随着企业级固态硬盘市场的快速增长和人工智能应用需求的不断增长，我们将继续通过我们的 QLC 和 TLC 第 9 代 V-NAND 巩固我们在该细分市场的领导地位。

得益于三星的沟道孔蚀刻技术，第九代四级单元的密度比上一代 QLC V-NAND 芯片高出 86%。三星还优化了各层单元特性，使数据保留性能提高了约 20%。最后，由于采用了预测和控制存储单元状态的预测程序技术，芯片的输入/输出速度提高了约 60%。

至于功耗这一移动设备的关键特性，三星声称，由于采用了低功耗设计并降低了电压要求，读取和写入能耗分别降低了 30% 和 50%。

虽然最初的重点是企业市场，但三星还计划将第 9 代 QLC V-NAND 存储器芯片的应用扩展到消费类产品，如大容量固态硬盘和用于现代智能手机的 UFS（通用闪存）。

内存闪存二合一！美光uMCP5这颗芯片有点意义

如今什么样的智能手机最讨喜？

答案很简单，更轻更薄。

在外观和硬件趋于同质化的今天，定位相近的手机之间可以比拼的多以机身颜色、拍照能力、快充功率和系统优化等等为主，但最能在拿起手机的一瞬间打动人心的，则是它的持握手感，而轻薄就是对手感硬件最大的指标之一。

那么，如何才能让手机更轻薄？

没错，直接集成5G基带的SoC，就比外挂5G基带的SoC占便宜。此外，手机内部还有很多硬件都在追求更高的集成度，从而降低对PCB主板空间的占用，让机身再薄0.x个毫米。

如果你经常关注手机的拆机资料，不难发现几乎所有的手机都会选择将内存芯片覆盖在处理器芯片上以节省主板空间，叠放还能让处理器和内存间的引线长度最短，从而降低线路噪音、访问延迟、电力损耗。

手机领域的这种内存和处理器“叠罗汉”的设计即PoP（元件堆叠装配），它并非3D封装，而是“堆叠”，属于一种多成品芯片之间的焊接技术。

问题来了，手机除了处理器和内存以外，还需要在主板上焊上另外一颗额外的存储芯片。如果能将这颗存储芯片也和处理器内存摞在一起，不就可以更加节省主板空间了吗？

如今，美光就带来了有望将这个梦想照进显示的技术——uMCP5。

简单来说，uMCP5是全球首次通过MCP多芯片封装的方式，在单颗芯片内就完整集成了自家的LPDDR5内存芯片、NAND闪存芯片以及UFS 3.1控制器，它采用TFBGA封装格式，工作电压1.8V，可稳定运行在-25℃到+85℃的温度环境中。

美光uMCP5提供了8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB四种容量组合版本可选，基本覆盖了时下中端到旗舰手机的存储需求。该产品LPDDR5内存的部分支持6400Mbps的数据传输率，UFS3.1闪存部分的编程/擦写循环次数可达到5000次。

总之，美光uMCP5的出现，可以进一步提升手机的存储密度，节省内部空间、成本和功耗，而我们也期待这种“二合一”的存储芯片可以早日在手机领域量产，并有机会用于笔记本等其他计算设备领域。

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