什么是隔离芯片?一文看懂隔离芯片的分类和产品矩阵
一、隔离芯片简介
隔离芯片是保障电路安全的模拟芯片。隔离芯片属于模拟芯片,是信号链领域的细分产品门类,在电气隔离状态下实现信号的耦合传输。如下图所示,数据信号可以在AB两个区域之间进行传输,同时避免电流在AB两个区域之间流通,确保没有实际的电气连接。在工业、通信、新能源等复杂应用场景下,一个综合的电子系统有众多不同电压等级的子系统,各子系统数据传输时会产生串扰,且高电压也会导致电路安全问题,因此需要通过隔离芯片来实现电气隔离并保证信号传输的准确、稳定、可靠。具体来说,隔离芯片在电子系统里可实现三类功能:
1)安全防护:提升高压电路的安全性,保护电子控制设备和操作人员安全;
2)信息传输:在具有相对较高的电位差的子电路系统之间进行有效通信,即保障强电电路和弱电电路之间信号传输的安全性;
3)抗干扰:去除两个电路之间的接地环路,阻断共模、浪涌等干扰信号的传播,防止电气噪声破坏敏感信号,从提升电磁兼容性。
图1:隔离芯片所处电路位置
图 2:隔离芯片可以通过消除接地环路来降低噪声/EMI(抗干扰性)
图3:隔离芯片在高压电路下可提供安全防护
二、隔离技术简介
隔离技术是一种用于电子系统中的技术,它能够防止系统的两个部分之间的直流干扰,或者防止干扰性交流电流,同时允许信号在这两部分系统之间正常传输。隔离技术在保护操作人员安全、防止高压系统中昂贵的处理器损坏、切断通信网络中的接地回路以及与高端设备通信等方面非常重要。常见的隔离技术包括光耦隔离、磁耦隔离(如变压器隔离)和容耦隔离。
图4:三种隔离技术路线图示
川土微电子的数字隔离器产品采用的是电容隔离技术,特别是全差分隔离电容技术。这种技术使用二氧化硅(SiO2)作为信号绝缘和数字隔离器中使用的电介质,通常使用两个串联的二氧化硅电容器实现高压隔离。与光耦和磁隔离器相比,SiO2提供的介电强度最高,不会因暴露于环境湿度而退化,并且可以有大于100年的隔离寿命。此外,川土微电子的数字隔离器还采用开关键控(OOK)调制解调技术,以保证稳定的数据传输质量。
三、隔离芯片市场
隔离芯片在电路安全方面具备重要作用,广泛应用于汽车电动化、新能源发电、信息通讯、电力自动化、工业自动化、仪器仪表和航天航空等领域。
电动车领域
车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)、DC/DC转换器、电机控制驱动逆变器、CAN/LIN总线通讯等汽电子系统均需使用隔离芯片。与汽油车相比,新能源汽车的电气化程度更高。出于安规和设备保护的需求,数字隔离类芯片更多地应用于新能源汽车高瓦数功率电子设备中,成为新型电子传动系统和电池系统的关键组件。因此,新能源汽车新增了多种数字隔离类芯片产品的需求。
工业领域
为了保障生产人员的人身安全,必须对高低压之间的信号传输进行隔离以保护操作人员免受电击,该类隔离需求涉及人机交互的各个节点。具体来说,工业自动化系统有多个PLC/DCS节点,每个 PLC/DCS 节点控制一至多个变送器、机械手、变频器、伺服等设备,出于安规需要,上述设备对数字隔离类芯片均有需求。
光伏领域
光伏新增装机量持续提升。随着“碳中和”,“碳达峰”目标的推进,光伏发电作为环保发电方式之一,发展前景广阔。
光伏逆变器中隔离芯片等需求量大。出于安全和可行性考虑,并网PV转换器把获得的直流与交流网相隔离。隔离的作用通常是满足安全法规的要求。电网电压和注入电网的电流必须精确监控。
电网
隔离与接口芯片产品主要用于智能电网中的用电终端、配电终端、继电保护终端等各类型设备中,来实现对电网状态、计量情况等数据的监测和上报。目前隔离芯片在电网中主要应用于断路器,充电桩和智能电表等场景;智能电表主要用数字隔离器,充电桩主要用隔离驱动,数字隔离器和运放,断路器主要用数字隔离器;随着电网智能化进程的推进,应用隔离与接口芯片的终端设备数量的需求量不断增长。
四、川土微隔离器件产品线
上海川土微电子有限公司是一家成立于2016年的专注于高端模拟芯片研发设计与销售的高科技公司,产品涵盖隔离与接口、驱动与电源、高性能模拟三大产品线以及μMiC战略产品( micro-Module in Chip)。目前产品已广泛应用于工业控制、电源能源、通讯与计算、汽车电子等领域。
图5:川土微电子的产品系列
图6:川土微电子的隔离芯片产品系列
图7:川土微电子产品应用场景
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纳芯微取得隔离电源芯片及其实现方法专利,提高了芯片的集成度
金融界2024年5月3日消息,据国家知识产权局公告,苏州纳芯微电子股份有限公司取得一项名为“一种隔离电源芯片及其实现方法“,授权公告号CN107437895B,申请日期为2017年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种隔离电源芯片及其实现方法,包括:发射芯片和接收芯片,且发射芯片和接收芯片之间通过耐高压的电容C1、C2实现电源的传输和直流共模电平的隔离;所述发射芯片包括第一振荡器、耐高压的电容C1、C2;所述接收芯片包括由MOS管M1~M4组成的整流电路、耐高压的电容C5;所述第一振荡器接电源VDD1,第一振荡器分别与电容C1、C2的负极连接,电容C1、C2的正极分别与整流电路连接,整流电路通过电容C5接电源VDD2。本专利采用耐高压的电容实现电源的传输和直流共模电平的隔离,提高了芯片的集成度。而且本专利的电源芯片的结构以及实现方法既适合开环结构,又适合闭环结构的系统。在满足两个系统之间电源隔离的情况下,又节省了芯片的面积和功耗。
本文源自金融界
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