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射频与芯片 射频芯片,国产替代哪家强?

小编 2024-11-24 案例中心 23 0

射频芯片,国产替代哪家强?

凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片,也就说,我们所用到的手机,里面就有射频芯片的存在。据Yole数据,2018年全球移动终端射频前端市场规模为150亿美元,预计2025年有望达到258亿美元,7年的年均复合增长率达到8%。

滤波器是射频前端市场中最大的业务板块,占比约54%,并且随着通信频段的增加,其份额将进一步提高,到2021年将达到66%;功率放大器是射频前端市场中的第二大业务板块,占比34%;射频开关占比约7%,天线调谐器及其他占比约5%。

射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号,将特定频段外的信号滤除,从而提高信号的抗干扰性及信噪比。目前,我国国产有以下机构企业的产品处于国内领先位置:

功率放大器是指在给定失真率条件下,能产生最大功率输出以驱动某一负载(例如扬声器)的放大器。功率放大器在整个音响系统中起到了"组织、协调"的枢纽作用,在某种程度上主宰着整个系统能否提供良好的音质输出。国产PA厂商大多采用Fabless商业模式,主攻芯片设计,但这些公司的产品主要集中在市场中低端,产品同质化现象比较严重,整体市场规模不大。目前国内最为领先的就是紫光展锐和唯捷创芯。

射频开关是射频通路中的常用器件,只要涉及到通路切换,都需要用到它,常见的射频开关有电子开关、机械开关,PIN管开关。

国内的公司则有

锐迪科、卓胜微、唯捷创芯、韦尔股份 等。其中,卓胜微是国内射频前端芯片龙头,主营射频开关、射频低噪声放大器等射频前端芯片产品,是业界率先基于RF CMOS工艺实现了射频低噪声放大器产品化的企业之一,是国际上先行推出集成射频低噪声放大器和开关的单芯片产品的企业之一,目前产品的应用领域主要包括通信与互联网,下游客户覆盖了三星、小米、华为等消费电子巨头。

射频材料:

半导体材料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以Si、Ge为代表的第一代半导体材料;第二阶段是以GaAs、InP等化合物为代表的第二代半导体材料;第三阶段是以GaN、SiC、ZnSe等宽禁带半导体材料为主的第三代半导体材料。

2018年全球砷化镓元件市场(含IDM厂组件产值)总产值约为88.7亿美元,达到历史新高,前四大厂商占比达到73.4%,分别为Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、稳懋半导体(6%)。

目前国际GaN器件主流供应商主要包括住友电工、Wolfspeed、Qorvo以及其他美国,欧洲和亚洲的参与者。三安光电与GCS合作,在GaAs与GaN射频器件的供应领域已经取得了一定的行业地位。三安集成的砷化镓射频器件销量持续增长,出货客户累计至73家,达 270种产品,客户范围已扩展至包括日本、韩国、台湾在内的泛亚太国家和地区;氮化镓射频已给几家客户送样,已实现小批量供货;滤波器产品进入验证阶段,客户反馈初步测试产品性能已优于业界同类产品。

射频芯片,国产替代哪家强?

凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片,也就说,我们所用到的手机,里面就有射频芯片的存在。据Yole数据,2018年全球移动终端射频前端市场规模为150亿美元,预计2025年有望达到258亿美元,7年的年均复合增长率达到8%。

滤波器是射频前端市场中最大的业务板块,占比约54%,并且随着通信频段的增加,其份额将进一步提高,到2021年将达到66%;功率放大器是射频前端市场中的第二大业务板块,占比34%;射频开关占比约7%,天线调谐器及其他占比约5%。

射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号,将特定频段外的信号滤除,从而提高信号的抗干扰性及信噪比。目前,我国国产有以下机构企业的产品处于国内领先位置:

功率放大器是指在给定失真率条件下,能产生最大功率输出以驱动某一负载(例如扬声器)的放大器。功率放大器在整个音响系统中起到了"组织、协调"的枢纽作用,在某种程度上主宰着整个系统能否提供良好的音质输出。国产PA厂商大多采用Fabless商业模式,主攻芯片设计,但这些公司的产品主要集中在市场中低端,产品同质化现象比较严重,整体市场规模不大。目前国内最为领先的就是紫光展锐和唯捷创芯。

射频开关是射频通路中的常用器件,只要涉及到通路切换,都需要用到它,常见的射频开关有电子开关、机械开关,PIN管开关。

国内的公司则有锐迪科、卓胜微、唯捷创芯、韦尔股份 等。其中,卓胜微是国内射频前端芯片龙头,主营射频开关、射频低噪声放大器等射频前端芯片产品,是业界率先基于RF CMOS工艺实现了射频低噪声放大器产品化的企业之一,是国际上先行推出集成射频低噪声放大器和开关的单芯片产品的企业之一,目前产品的应用领域主要包括通信与互联网,下游客户覆盖了三星、小米、华为等消费电子巨头。

射频材料:

半导体材料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以Si、Ge为代表的第一代半导体材料;第二阶段是以GaAs、InP等化合物为代表的第二代半导体材料;第三阶段是以GaN、SiC、ZnSe等宽禁带半导体材料为主的第三代半导体材料。

2018年全球砷化镓元件市场(含IDM厂组件产值)总产值约为88.7亿美元,达到历史新高,前四大厂商占比达到73.4%,分别为Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、稳懋半导体(6%)。

目前国际GaN器件主流供应商主要包括住友电工、Wolfspeed、Qorvo以及其他美国,欧洲和亚洲的参与者。三安光电与GCS合作,在GaAs与GaN射频器件的供应领域已经取得了一定的行业地位。三安集成的砷化镓射频器件销量持续增长,出货客户累计至73家,达 270种产品,客户范围已扩展至包括日本、韩国、台湾在内的泛亚太国家和地区;氮化镓射频已给几家客户送样,已实现小批量供货;滤波器产品进入验证阶段,客户反馈初步测试产品性能已优于业界同类产品。

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