存储芯片年涨七成不算完：AI需求接棒，大厂持续加注

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最近两年，存储芯片市场经历了过山车一般的大起大落。先是供大于求，价格跌至历史新低。随后便一路走高，涨价的势头至今已延续一年。

TrendForce集邦咨询的研报显示，在人工智能驱动的HBM和QLC的带动下，预估DRAM及NAND Flash产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。预计至2025年，DRAM、NAND产业的营收还将分别有51%和29%的环比增长。

在连续的高速增长背后，有着存储芯片供需关系的不断调整，也有着随着AI浪潮一同到来的新需求。

从大落到大起，存储芯片坐上过山车

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事实上，在这轮“泼天富贵”之前，存储芯片行业此前经过了很长时间的低谷期。

早在疫情刚开始的2020年，由于全球性的芯片短缺，让很多厂商对疫情和局势产生了错判，囤积了大量的芯片。最终结果就是导致供大于求，存储芯片成为了厂商巨大的库存压力，因此在2022年到2023年上半年间，存储芯片价格一直处于低位。

Strategy Analytics手机元件技术服务高级分析师Jeffrey Mathews指出，随着需求端在2022年开始下降，行情供过于求。市场的供过于求强烈推动了下行周期，这是当时DRAM和NAND降价的主要原因。

但很快，上游厂商厂商就调整了产能策略和供需关系。彼时，2023年Q2的财报会议上，三星宣布下半年将继续削减以NAND Flash为核心的存储芯片产量。SK海力士则宣布下半年继续减少5-10%的NAND Flash产量。美光将NAND Flash晶圆投片数量由之前的减产25%扩大到减产30%。铠侠自2022年Q4就开始实施减产30%，2023年的减产幅度已经扩大到了50%。

从2023年年中开始，存储芯片的价格因为上游减产开始了一路飞涨，部分产品的价格在一年内实现了价格翻倍。

真我全球副总裁、中国区总裁徐起在2024年4月的交流中告诉钛媒体APP，2024年供应链价格上涨给到厂商的压力很大，其中闪存价格上涨的趋势尤其明显。

从财务表现来看，各大存储厂商在此轮涨价过程中赚的盆满钵满。海力士2024财年第二季度财报显示，二季度营收为16.4万亿韩元（约118亿美元），比去年同期上涨125%，为单季最高纪录，净利润为4.12万亿韩元，较一季度上涨了115%。三星一季度利润同比同比增长9倍，超过其2023年的利润总和。美光则提前预期一季度实现扭亏为盈。

此前TrendForce集邦咨询研究预估，存储芯片的涨势或将延续至2024年第一季度。但截止到2024年中，这一涨势还没有即将停止的势头。

AI接棒，HBM拉动存储芯片持续增长

根据IDC发布的全球智能手机、PC市场报告，至2024年第二季度，全球智能手机出货量已实现了连续四个季度的出货量正增长，PC也实现了连续两个季度的出货量正增长。应该说从供需关系来看，智能手机、PC的全球性复苏，已经给到了上游足够信心。

但更加重要的是，随着ChatGPT引领的新一轮AI浪潮的兴起，海量服务器对存储芯片的需求急剧增长，这种需求的上限已经变得难以估量。

从2023年开始，随着新一轮人工智能浪潮的到来，存储芯片行业内也产生了新的需求。在一段时期内，AI服务器的算力可以轻松破T（TOPS，每秒万亿次运算），但存储器带宽不能破T（TB/s，每秒万亿字节带宽），这导致存储芯片成为了AI链路上木桶效应的短板，出现行业所谓的“存储墙”。

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相比于传统的GDDR、LPDDR，HBM虽然也属于DRAM（动态随机存取存储器）中的一个类别，但具有显著的高带宽、大容量、低延迟特点。在与同类产品的竞争中，凭借速度优势，HBM迅速击败同类产品成为了目前AI行业共同的选择。

HBM最早发布于2013年，其最新一代产品HBM3E发布于2023年8月，2024年3月末开始供货。据SK海力士，该产品最高每秒可以处理1.18TB（太字节）的数据，相当于在1秒内可处理230部FHD全高清电影。

目前HBM的主要制造商只有传统的存储芯片三巨头，也就是SK海力士、三星和美光，目前SK海力士处于领先地位，三星第二，美光第三。

据TrendForce 集邦咨询预估，2024年DRAM产业营收将达907 亿美元，其中HBM将贡献DRAM位元出货量5%，营收贡献可达到20%。

但从目前看来，三家现有的产能还无法满足HBM高涨的需求。美光CEO Sanjay Mehrotra在2023年年底的财报会议上透露，其2024年的HBM产能预计已全部售罄；SK海力士副总裁Kim Ki-tae也表示，2024年即将生产的HBM已全部售罄。

为了延续HBM的业务增长，巨头们选择加注扩产。

先是在今年4月，SK海力士公布将投资约38.7亿美元在美国印第安纳州建造一座先进封装厂和AI产品研发设施。随后在7月26日，SK海力士宣布将投资约9.4万亿韩元(约合68亿美元)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂，2025年3月开工，2027年5月竣工。监管文件中显示，这项投资旨在满足对AI芯片的需求，确保未来的增长。

Yole Group的最新分析报告显示，由于人工智能服务器的需求超过了其他应用，HBM在整个DRAM出货量中所占的份额预计将从2023年的约2%上升到2029年的6%，由于HBM的价格远高于DDR5，就收入而言，其份额预计将从2024年的140亿美元攀升至2029年的380亿美元。

值得注意的是，目前除了SK海力士、三星和美光，还没有其它厂商能够量产HBM产品，对此我国学者表示了担忧。电子科技大学长三角研究院（湖州）集成电路与系统研究中心副主任黄乐天表示：“就好像一把枪，子弹供应跟不上，射速再快也没用。无法解决HBM问题，我国算力就难以提升，人工智能在内的诸多产业发展就将受限。”

今年三月，武汉新芯集成电路制造有限公司发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。拟新增设备16台套，拟实现月产出能力>3000片(12英寸)。

国盛证券认为，武汉新芯发布该轮招标预示着长江存储或其他潜在客户拥有DRAM产品制造能力，将大幅提振国内产业化信心。（本文首发于钛媒体APP，作者｜吴泓磊，编辑｜钟毅）

存储芯片概念31日主力净流入419亿元，兆易创新、佰维存储居前

7月31日，存储芯片概念上涨3.73%，今日主力资金流入4.19亿元，概念股47只上涨，3只下跌。

主力资金净流入居前的分别为兆易创新（1.54亿元）、佰维存储（9281.16万元）、紫光国微（5616.96万元）、华天科技（5193.05万元）、深科技（4980.78万元）。

本文源自金融界

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