合封芯片

或门芯片型号 索尼PS5,微软XSX都在用的LLC主控芯片你还不快来看看?

小编 2024-10-09 合封芯片 23 0

索尼PS5、微软XSX都在用的LLC主控芯片你还不快来看看?

前言

当今游戏主机市场可不再像上世纪末那般百家争鸣,选择繁多,经历多年的洗礼,本时代游戏主机市场已然成为索尼、微软、任天堂三足鼎立的局面。其中任天堂switch以独特的掌机+主机二合一的独特设计,无论是在外出行,还是在家休闲,都可以享受到游戏的乐趣。另一家索尼PS5主打更极致的视听体验,各类高画质大作应接不暇。而微软XSX+XSS双机发布的策略则可同时满足轻重度玩家需求。

当然,熟悉充电头网的读者肯定知道,本篇文章在此不评论游戏主机的选购以及适应人群,而是来探究其内置的LLC主控芯片,看看游戏主机都搭载哪些LLC主控芯片。

索尼PS5内置电源

索尼PS5主机电源设计相当模块化,独特的“手枪”造型则是服务于主机散热片和散热系统而设计。电源外壳采用质轻且强度好的工程塑料,输入端以及侧面均设有散热孔。此外外壳上还设计有多个空位,便于安装固定。

内置的LLC控制器

台达定制芯片DAP053T

PS5内置的初级控制器丝印DAP053T,为台达定制型号,芯片内集成PFC控制器和LLC控制器。

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索尼PS4 Pro 70XX系列机型内置电源

充电头网了解到,PS4 Pro电源的插件元器件布局十分稀疏,不易积热,此外初次级MOS管也都配有散热片帮助散热,再加上电源机身壳设计有散热窗口,保证了电源的整体散热性能。

内置的LLC控制器

台达定制芯片DAP049

其内置的LLC控制器丝印为DAP049,同样为台达定制的LLC控制器。

索尼PS3 Slim系列机型内置电源

索尼PS3游戏主机电源APS-250设计上也特别看重散热,机身前后设有散热窗口,电源主板上的元器件分布也很稀疏,整流桥、初次级MOS管配有散热片帮助散热。虽说最大输出功率比不上下一代的电源,但同样有高水准的用料做工。

内置的LLC控制器

索尼CXA3790M

电源内置的LLC控制器为CXA3790M,是一颗来自索尼自家的初级控制器,内置PFC控制器和LLC控制器。

Xbox Series S主机电源

微软Xbox Series S主机采用扁平长方体造型设计,自然对内部器件的尺寸要求就很苛刻,电源扁平规则机身造型设计就能很好体现这一点。电源外壳采用质轻且强度好的工程塑料,其中一面覆盖金属散热板,侧身四面设计散热孔全方位散热。

内置的LLC控制器

丝印SH3P0022T芯片

丝印SH3P0022T的芯片是一颗LLC主控芯片,采用SO16封装。

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Xbox Series X主机电源

虽说Xbox Series X主机电源最大功率可以达到255W,但电源整体还是设计得相当小巧以及模块化,体现了一流的设计功底。同时对于本身并不大的Xbox Series X主机来说也是相当友好,很好的减轻机内空间压力。

内置的LLC控制器

MPS HR1211

内置的电源主控芯片采用MPS HR1211,这是一颗多模式PFC和电流模式LLC二合一控制器,将传统芯片方案需要2-3颗芯片才能实现的功能集成在一颗芯片内部,PFC控制器支持CCM和DCM工作模式。

HR1211采用数字控制内核,支持高压启动和智能X电容放电,PFC级支持最高250KHz工作频率,LLC级内置600V半桥驱动器,内部集成自举二极管,工作频率高达500KHz,支持丰富的保护功能。

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充电头网总结

充电头网通过对索尼PS5、PS4 Pro以及PS3 Slim以及微软Xbox Series S和Xbox Series X五款主流游戏主机的分析,我们可以看到LLC主控芯片在这些电源设计中有着普遍应用。文中提到的部分主控芯片采用LLC+PFC二合一设计,有效地减少了器件数量,提高了电源的整体效率。其不仅为玩家提供了更稳定、更高效的电源输出,也符合对游戏设备长时间稳定运行的需求。另外,LLC主控芯片在游戏主机中的应用,不仅为游戏爱好者带来了更好的游戏体验,更是两家厂商在产品设计能力的体现。

全网最全面的PCIe 50 SSD主控芯片汇总!你还不来看看吗?

前言

PCIe作为高性能数据传输的核心接口,目前已经历了多个代际的更新迭代。PCIe 5.0 于2019年由 PCI-SIG 推出,作为第四代 PCIe 标准的继任者,与 PCIe 4.0 相比,PCIe 5.0 的传输速度翻倍,性能的跃升也为下一代存储设备,尤其是 SSD 提供了更为广阔的发展空间。充电头网也已将PCIe不同版本参数规格汇总成下表所示,给大家带来更加直观的参考。

PCIe 5.0 的高速带宽也对其核心组件 — 主控芯片提出了更高要求。主控芯片作为 SSD 的“大脑”,负责对存储单元的管理、数据调度和错误校正等功能,决定着 SSD 的整体性能表现。该芯片不仅需要支持 PCIe 5.0 的高带宽,还要具备高速 NAND 闪存管理和低延迟的数据处理能力,以实现存储系统的性能优化。

PCIe 5.0 SSD主控芯片盘点

PCIe 5.0 标准的逐步普及,多个存储芯片供应商也开始推出支持这一标准的 SSD 主控芯片。充电头网汇总了当前市场上主要的 PCIe 5.0 SSD 主控芯片,并分析其性能特点汇总成下表所示。

排名不分先后,按企业英文首字母排序。

Phison群联

群联PS5026-E26

PHISON群联的PS5026-E26支持 PCIe 5.0 x4 通道和 NVMe 2.0 标准,采用台积电 12nm 工艺,内部集成 2 个 ARM Cortex-R5 核心及 3 个专用 IP 核心。读取速度可达 12GB/s,写入速度 11GB/s,4K 随机读取 150 万 IOPS,4K 随机写入 200 万 IOPS。

群联PS5026-E26 Max14um

PS5026-E26 Max14um是群联在 CES 2024 上发布的新品,是 PS5026-E26 的升级款,顺序读取速度由原来的12GB/s来到14GB/s。顺序写入速度由原来的11GB/s来到了12GB/s。4K随机读取和写入也达到了1,500K IOPS和2,000K IOPS。缓存支持方面可支持DDR4和LPDDR4缓存,还支持AES256、SHA512等多种数据加密。

群联PS5031-E31T

PS5031-E31T作为群联发布的最新低功耗PCIe 5.0主控,官方宣称其旨在为笔记本电脑和移动端设备带来PCIe 5.0的体验,因为采用了台积电的7nm制程制造。其功耗和发热也得到了良好的控制,可也随之带来了些许负面影响,其各项速度均弱于E26。最高读写速度为10800MB/s,4K随机读写为1500K IOPS,最大可支持容量为8TB。适合作为笔记本电脑或移动端设备硬盘主控使用。

平头哥

镇岳510 NVMe主控芯片

镇岳510是一颗高性能企业级SSD主控芯片,IO处理能力达到3400K IOPS,数据带宽达到14GByte/s,能效比达到420K IOPS/Watt。

镇岳510采用平头哥自研芯片与固件架构,通过良好的软硬件协同设计在实现性能突破的同时达到最佳能效。镇岳510芯片采用平头哥自研的低密度奇偶校验数据纠错算法,编码效率逼近香农极限,纠错性能也大幅提升,数据误码率低至10^-18。同时,镇岳510采用了软硬件一体的介质应用算法,能够准确预测介质的电平漂移,大幅改善长尾时延,给应用以高度一致性的性能体验。

Marvell

Marvell Bravera SC5控制器系列

Marvell 推出的全球首款 PCIe 5.0 SSD 主控芯片,传输速度最高可达 14GB/s,随机性能高达 200 万 IOPS。支持 NVMe 1.4b 协议,具有 FIPS 安全认证、AES 256-bit 加密等功能,还搭载硬件级别的 “Elastic SLA Enforcer” 功能,可以大幅减少 CPU 占用率,改善用户体验。该主控支持第 5 代 NAND ECC 纠错技术,支持 3D QLC、TLC、SLC 等 NAND 闪存,有助于延长闪存颗粒使用寿命,并具有节能特性。

MMY华存电子

华存HC9001

HC9001主控芯片是国内首款自研12纳米工艺PCIe Gen5存储控制芯片,独创硬固件融合XSDirectA(eXcellent-Scheduling & Direct-Arrival)架构、自研第二代4K-LPDC(Low-Density Parity-Check)纠错算法架构、以及创新iPower架构。速度从PCIe4.0的16Gb/s提升到了PCIe5.0的32Gb/s,带宽可达128GB/s,并具有向下兼容性。同时加入国密算法与AI调适功能,层层加固,提升数据安全存储能力,实现了核心关键技术自主可控。

Microchip微芯科技

微芯 Flashtec NVMe 4016 PM8667

Microchip推出业内最强的企业级PCIe 5.0 SSD主控,型号为“Flashtec NVMe 4016 PM8667”,该主控支持多达16个可编程的NAND闪存通道,接口速率最高可达2400MT/s,而且还可完整支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0标准规范,并可搭配多种TLC、QLC闪存芯片。在性能方面,这款主控的标称吞吐量超过14GB/s,随机性能超过300万IOPS。而且,其还支持ACM、PCIe链接加密、高级虚拟化、可编程机器学习,ZNS,OCP等,可以满足数据中心的需求。

SAMSUNG三星

三星自研 5nm 主控

可实现最大 14.5GB/s 的顺序读取速率和 13GB/s 的顺序写入速率。

Silicon Motion慧荣科技

慧荣SM2508

慧荣科技的旗舰级 PCIe 5.0 SSD 主控芯片,采用台积电6nm工艺,支持 NVMe 2.0,内建 8 个最高支持 3600MT/s 速率闪存通道,顺序读写最高可达 14.5GB/s 和 14GB/s,随机读写速度可达 250 万 IOPS。该芯片采用 4 个 ARM Cortex R8 处理器与 1 个 ARM Cortex M0 处理器的搭配,能实现更高的并行度、更低的功耗和更高的频率,兼顾性能与功耗的均衡。

STARBLAZE忆芯科技

忆芯STAR1500

STAR1500是忆芯全新一代高端消费级PCIe5.0 SSD主控芯片,采用8核64位RISC-V多核处理器架构,支持PCIe Gen5接口和NVMe2.0协议,采用8nm制程,顺序读性能高达14.4GB/s。STAR1500为8路闪存通道,目标为数据中心级和高端消费级市场。STAR1500支持EP/RC功能、采用ONFI5.1闪存协议接口与DDR5内存协议接口,最大支持容量达到了64TB;安全功能上增加了防侧信道攻击功能,进一步提升了安全防护等级。

忆芯STAR1516

STAR1516是忆芯科技自主研发的全新一代高端企业级PCIe5.0 SSD主控芯片。自研企业级SSD架构,硬件加速器提升地址映射、数据搬移和数据计算效率;支持第五代StarNVMe®架构,提供极致延迟性能;支持第五代StarSecurity安全算法,支持硬件实时数据加解密,支持侧信道攻击防护;支持第五代StarLDPC®架构,提供更强纠错能力。STAR1516为16路闪存通道,目标为高性能企业级市场。

YingRen英韧科技

英韧YRS900

YRS900是英韧科技首款量产的PCIe 5.0企业级国产主控,采用开源的RISC-V架构,支持PCIe 5.0接口,顺序读取速度达14GB/s,顺序写入速度达12GB/s,并支持包括FDP (Flexible Data Placement)、SR-IOV硬件虚拟化技术、CMB等特性在内的多种特性,匹配更多客制化需求。

英韧YRS820

YRS820面向包括AI PC在内的高端消费级市场,高性能设计,顺序读取14GB/s,顺序写入12GB/s,内置英韧独有的AI智能数据加速设计,可搭配3D TLC/QLC,支持容量最高可达8TB。

英韧IG5669

IG5669主要针对数据中心级应用,采用 4 通道 PCIe 5.0 接口,具有 16/18 个 NAND 通道。顺序读写速度可分别达到 14GB/s 及 11GB/s,4K 随机读取速度为 3M IOPS,支持多种闪存类型以及多种企业级特性,适用于企业级应用、高端数据中心及人工智能等领域。

YEESTOR得一微

得一微YS9501

得一微业界性能领先的PCIe Gen5 NVMe企业级SSD 控制器,可满足各种云计算和企业级环境对高可靠性、高性能SSD 的应用需求。支持PCIe Gen5×4、16通道、ONFI 5.0 NAND、DDR5/DDR4,以及4K码长的LDPC引擎。此外,该控制器还支持透明压缩、加解密,支持标准SSD、OC SSD、ZNS SSD形态。YS9501具有高性能、低延迟,和稳定的服务质量(QoS)表现,全面满足企业级/数据中心对SSD的需求。

顺序读速度为14.5 GB/s,顺序写速度为12 GB/s,随机读速度为3,000,000 IOPS,随机写速度为3,000,000 IOPS。

充电头网总结

PCIe 5.0 是 SSD 实现更高读写性能的重要基础,而 PCIe 5.0 SSD 主控芯片则是决定这一接口在存储设备上性能表现的核心组件。两者相辅相成,共同推动 SSD 性能的提升。从本文的汇总来看,市场上主流的 PCIe 5.0 SSD 主控芯片已经逐步走向成熟,各大芯片厂商都致力于推出具备先进架构和 NAND 管理技术的主控芯片。

这些产品不仅可以应对数据中心和高性能计算领域的严苛需求,也能够推动消费级存储设备向更高性能发展。同时,主控芯片的设计还围绕着功耗优化、散热控制、数据保护等方面展开,使得 PCIe 5.0 SSD 在高负载、持续运行的场景中依然保持稳定。

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