甜头没尝几天，存储芯片又要“凉”？

文|半导体产业纵横

​9月19日，韩国存储芯片制造商SK海力士股价在首尔股市暴跌，领跌半导体同行。这源于华尔街大行摩根士丹利（大摩）的一份报道。

大摩最新将SK海力士股票评级下调了两档，从“增持”下调为“减持”，并将目标股价从26万韩元（约合200美元）下调至12万韩元，理由是认为该公司的定价能力正在减弱。

大摩指出，在全球存储芯片生产商中，该股是目前最不受青睐的。同日，在首尔上市的其他半导体股也受到波及，例如韩美半导体下跌了8.2%，三星电子下跌了3.4%。

大摩看空存储器产业后市发展的论调，在存储业界引起高度关注，业内人士看法不一。一方面有业内人士表示，HBM是经过客户认可才生产，而SK海力士和三星皆已宣布，该公司的HBM产品在2025年的产能已经销售完毕，“并不存在供应过剩的问题”。另一方面也有不少业内人士表示担忧：存储芯片的甜头才尝到几天，这波热潮就又要过去了？

至于未来存储市场走向究竟如何？还要从多方面进行分析。

针对今年未来一段时间存储市场的走向，国内外多家调研机构均认为当前的存储市场表现：不算乐观。

大摩：发出预警

大摩一系列减持动作的理由是智能手机和PC需求减少导致通用DRAM需求下降，高带宽内存（HBM）供应过剩，导致价格下跌。

首先看HBM的供需情况。众所周知，HBM是AI重要支撑组件。

从需求端来看，报告中预测，10家大型科技公司的人工智能投资增长率将从今年的52%大幅下降至明年的8%，而彭博社预测13家大型科技公司今年的人工智能投资增长率为33.7%，明年为13.4%。可以明显的看到，明年由AI带来的HBM需求已大不如今年般强劲，需求正在大幅缩减。

再从供应端看，大摩预估明年存储器厂商HBM供给量将达2500亿Gb，超出需求量（1500亿Gb）66.7%，并预测三星电子全面进军HBM市场将是造成供给过剩的主要原因。

供应量增加了，需求反而减少了，如此来看HBM出现供应过剩似乎并不是空穴来风。

再看通用DRAM的供需情况。大摩表示，内存行业已经走完了一个完整的周期，DRAM的周期性状况可能在2024年第四季度达到平台期。虽然AI需求相对保持强劲，但传统终端市场在最近几周已恶化或保持疲软，这导致了价格预期的下降。目前初步迹象表明，2024年第四季度的定价环境将更加具有挑战性，并且在2025年出现趋势逆转。

大摩认为，卖出信号已经出现，下一轮周期性下滑将于2025年开始，DRAM将持续供应过剩至2026年，而库存积累加剧了这种情况。NAND在2025年的产能支出仍然相对健康。不过，由于类似的终端市场曝险和重叠的客户群，NAND与DRAM的周期性往往有些同步。

大摩亦对当下存储市场的发展提出了警示：一旦当前的DRAM周期性动能消退，SK海力士可能会留下一个已经恶化的NAND业务。加上生产正常化的上行风险，以及DRAM和HBM资本支出的急剧增加，2024年之后的风险或许被低估了。

TrendForce：全球消费性存储器市场正面临严峻挑战

TrendForce集邦咨询近日也发布研报称2024年第二季度存储模组厂在消费类NAND Flash零售渠道的出货量已大幅年减40%。

确切来说，存储芯片市场正在经历一场细分化的变革，即消费类存储器市场承压、专业存储器需求旺盛。这种情况不仅表现了全球消费性存储器市场正面临严峻挑战，也揭示了AI服务器需求成为存储市场的主要驱动力。

今年以来存储芯片市场的强劲复苏，首先的原因是“起点低”。

2022年消费电子需求的持续疲软导致存储市场陷入供需失衡，还引发了NAND Flash和DRAM价格的连续下跌。彼时许多存储企业在2022年至2023年间遭遇了巨额亏损。存储原厂试图通过减产和价格提涨来扭转局面，于是进入了修复供需关系的漫长周期。此外，AI技术的崛起也给存储市场带来了新的希望。就这样，经历了较长一段时间的调整，存储市场渐渐步入健康增长态势。

然而，AI未必能做得了存储行业的“救世主”。

CFM闪存市场：消费类存储行情明显承压

今年下半年以来，存储现货市场的价格持续下调。根据CFM闪存市场统计数据，NAND Flash和DRAM现货价格指数自今年5月份触及阶段高点后便开始一路下跌，目前已经回到了2023年末的水平。

这主要是因为消费电子市场并未完全释放其应有的市场需求。

CFM闪存市场分析师杨伊婷表示，一方面智能手机出货量不及预期，另一方面随着零部件价格上涨，手机厂商硬件成本压力巨大，部分手机厂商已开始在摄像头、屏幕、存储等配置上降配。在容量配置上，降配已经成为各大手机品牌厂商不得已而为之的选择。

其中，DRAM首当其冲，高端机型从16GB降至12GB，低端机型撤回到4GB，且中低端机型销量占比加大，高端手机销量降低，整体收缩对DRAM的需求。NAND方面同样如此，通过调整营销策略，减少高容量配置需求。

具体到今年三季度的存储市场行情，杨伊婷表示，三季度存储行情已然站上十字路口，服务器存储行情整体稳定，消费类存储行情明显承压。

了解了这些机构的看法，再看看市场的情况究竟如何。

02 存储芯片，市场行情如何？

从国内存储芯片厂商近期公布的最新业绩报告来看，尚未受到所谓 “冷空气” 的影响。虽然国产存储厂商多着眼于消费电子方面，但是在最新公布的上半年业绩报告中，这些公司均取得了不错的利润表现，火热态势依旧，未见颓势。

上半年，A股存储芯片赛道上市公司整体高增长，25 家公司净利润合计同比增 146.26%。澜起科技、江波龙、佰维存储、德明利、兆易创新等业绩出色。

澜起科技上半年公司实现营业收入16.65亿元，同比增长79.49%；净利润为5.93亿元，同比增长624.63%。江波龙上半年实现营业收入90.39亿元，较上年同期增长143.82%；净利润为5.94亿元，同比增长199.64%。佰维存储上半年实现营业收入34.41亿元，同比增长199.64%；净利润2.83亿元，同比扭亏为盈。兆易创新上半年实现营业收入36.09亿元，同比增长21.69%；净利润为5.17亿元，同比增长53.88%。

具体到产品价格，存储元器件价格上涨会对主营业务为存储芯片的上市公司产生正向业绩影响，反之亦然，因此，还需同时关注成本端晶圆价格变动和各企业的产销情况。

从该表看，eMMC 和 UFS 价格下跌，或因消费电子需求疲软致供大于求。Flash 有涨有跌，反映不同应用场景需求差异。DDR4 微跌，或受技术升级影响。SSD 价格稳定但月跌，反映市场竞争激烈。整体反映存储市场供需动态变化及不同应用的影响。

NAND 指数周涨跌幅为 - 2.84%，月涨跌幅为 - 5.08%，跌幅相对较为明显。这可能是由于 NAND 闪存市场供应增加，而需求增长相对缓慢所致。在消费电子领域，如智能手机、平板电脑等，存储容量的不断提升使得 NAND 闪存的供应较为充足。同时，技术进步也可能导致生产成本下降，进一步推动价格下跌。

DRAM 指数周涨跌幅为 - 1.75%，月涨跌幅为 - 3.86%。DRAM 市场同样受到供应增加和需求相对不足的影响。计算机、服务器等领域对 DRAM 的需求较为稳定，但随着技术的不断升级，DRAM 的性能也在不断提升，这可能导致旧产品价格下降。同时，新的生产技术和产能的增加也可能对价格产生压力。

上游晶圆价格均下跌。供应方面，产能增加或致供大于求。需求上，消费电子等应用领域增长缓慢。晶圆作为存储等产品基础，其价格波动影响产业链。

03 存储公司如何应对这场变局？

江波龙在近日接受机构调研时称，在经历了2023年年末至2024年第二季度前期的存储价格大幅普涨的浪潮后，未来存储价格将再难以一概而论，而是会根据不同的应用场景呈现结构性分化趋势。各原厂都在努力将产能重心转移至服务器市场的高价值产品领域。

集邦咨询分析师吴雅婷表示，存储器模组厂从 2023 年第三季后开始积极增加 DRAM 库存，到 2024 年第二季库存水位已上升至 11-17 周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔记本电脑市场也因为消费者期待 AIPC 新产品而延迟购买。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，全球消费性存储器市场正面临挑战。

这也意味着，存储公司不能盲目迎合上半年的积极趋势，在这场存储芯片市场的分化过程中，企业能否妥善应对可能出现的存货和产能的风险，尤其是高库存带来的潜在跌价风险，都是考验其战略布局的重大时刻。

财报数据显示，截至2024年6月30日，国内存储企业江波龙的存货账面价值达88.33亿元，占流动资产的比例为69.11%；佰维存储的存货账面价值达35.77亿元，占其资产总额的比例为51.87%；德明利的存货账面价值达33.8亿元，占其公司净资产的比例达222.58%。

若未来存储市场行情未能延续复苏态势，那些库存积压严重的存储厂商或将悬于存货价值贬损的危机之上，面临“跌价阴霾”的沉重压力。

总的来看，后续存储芯片行业或许将产生分化，出现供需失衡的情况。

这种情况下，国内存储公司需要做好技术的储备与创新，持续投入研发，推动存储技术的进步，如开发新型存储介质、提高存储密度、降低成本等。例如，探索新兴的存储技术如相变存储、铁电存储等，做好准备才有希望迎来脱颖而出的一天。

存储芯片风云：涨价与国产崛起，HBM领衔

【AI 热潮下存储芯片价值攀升，各类产品盈利情况引关注 】在 AI 风靡的当下，数据规模爆发式增长，存储芯片作为数据关键承载者价值上扬。存储芯片产品品类众多，其盈利状况成为业界焦点，为此需先对产品品类细分。 存储芯片按功能、读取数据方式及数据存储原理，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 断电后数据丢失，用于临时存储，代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 断电仍能长期存数据，适用于存储程序代码和用户数据，代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。从全球看，存储芯片市场以 DRAM 和 NAND Flash 为核心，二者市场份额超 90%，NOR Flash 占比约 3%，其他类型约 2%。 DRAM 即动态随机存取存储器，是常见系统内存，需定时刷新。按产品分类，DRAM 主要有 DDR、LPDDR、GDDR 及新型存储 HBM。DDR 适用于高性能计算设备，LPDDR 适合移动设备，GDDR 专为数据密集型应用设计，HBM 在带宽、功耗等方面优势明显。从市场看，DRAM 分主流和利基型，主流玩家为三星、美光和海力士，中国大陆头部公司有进展，利基型玩家分散。 Flash 主要分 NOR Flash 和 NAND Flash。NAND Flash 是非挥发性存储技术，优势众多，按技术类型分有 SLC、MLC、TLC 和 QLC，按产品应用分，NAND Flash 颗粒用于固态硬盘等。全球 NAND Flash 厂商集中，竞争格局稳定。NOR Flash 有自身特点，虽有缺点但难以淘汰，应用领域广泛，竞争格局相对集中。 DRAM 产品中，DDR4、DDR5 涨势明显，HBM 最为迅猛。2024 年 Q1DRAM 产业主流产品合约价上扬，带动营收增长，Q2 延续增长。DDR 不同系列今年上半年涨价，DDR3 因供给减少和需求增加涨价，华邦计划跟进。DDR4 和 DDR5 是涨价主力，LPDDR 和 GDDR 受影响价格上涨。 NAND Flash 产品中，SSD 连续四季度涨价。2024 年 Q1NAND Flash 量价齐扬，产业进入上行周期，合约价上涨。SSD 涨价明显，企业级 SSD 二季度涨幅高，消费级 SSD 也涨价，eMMC/UFS 预计涨价较温和。Nor Flash 产品上半年试探性涨价，中容量涨幅大。 DRAM、NANDFlash 和 NOR Flash 盈利能力受多种因素影响，今年上半年 HBM 盈利能力最强，因其需求增长和供应有限，价格上涨，存储三巨头供应紧张。DDR5 也有优势，性能功耗优，市场需求增长，产品升级且价格上涨。 国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要为 DRAM 和 NAND Flash，今年在需求推动下，行业景气度攀升。上半年，A股 存储芯片赛道上市公司业绩整体高增长，多家公司表现出色。随着新兴技术发展，存储芯片需求持续增长，高性能产品有发展空间，国产公司面临机遇挑战。

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