光迅科技申请激光器芯片测试专利，能测量到激光器芯片的高频参数

金融界2024年9月26日消息，国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种激光器芯片的测试装置及测试方法”的专利，公开号CN 118688604 A，申请日期为2023年3月。

专利摘要显示，本发明涉及芯片测试技术领域，提供了一种激光器芯片的测试装置及测试方法。所述激光器芯片的测试装置包括作业台、托盘组件、拾取组件、探测组件和光电测试组件，拾取组件在托盘组件和作业台之间移动过渡封装芯片，过渡封装芯片为通过过渡块封装的激光器芯片，作业台用于承载过渡封装芯片，探测组件通过不同的探针对过渡封装芯片施加不同的测试电信号，过渡封装芯片基于测试电信号发出光信号，光电测试组件对光信号进行测试。相较于直接测量激光器芯片而言，本发明提供的测试装置能测量到激光器芯片的高频参数，相较于器件级封装后再对激光器芯片进行测量而言，对过渡封装芯进行测试的成本更低。

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度亘核芯光电技术（苏州）申请一种半导体激光器及半导体激光器制备方法专利，减少激光芯片近腔面的热效应，提升腔面的可靠性

金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，度亘核芯光电技术（苏州）有限公司申请一项名为“一种半导体激光器及半导体激光器制备方法“，公开号 CN202411148081.X，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器及半导体激光器制备方法；本发明提供的半导体激光器包括激光芯片；在激光芯片的前腔面和后腔面中至少一个靠近腔面区域不设置 P 型欧姆接触层和 P 型电极层中的至少一个，能够减少对于光纤耦合时反射回激光芯片腔面的激光的吸收，进而可以减少激光芯片近腔面的热效应，提升腔面的可靠性。同时在晶圆切割裂片时，由于近腔面不设置 P 型欧姆接触层和/或 P 型电极层，因此能够避免因金属拉丝延伸到腔面边缘而造成光的反射与吸收，进而造成光的非线性效应以及热效应，导致的 COMD 失效的问题。

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