苏州科阳半导体取得晶圆级封装专利，提升了滤波器芯片的良率

金融界2024年9月15日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州科阳光电科技有限公司取得一项名为“一种晶圆级封装结构及封装方法“，授权公告号CN110993570B，申请日期为2019年12月。

专利摘要显示，本发明实施例公开了一种晶圆级封装结构及封装方法，该结构包括：具有多个功能区以及多个电极的滤波器晶圆；与功能区对应设置且包围功能区的围堰，围堰在工作面的垂直投影与电极部分交叠；与围堰一一对应的盖板，盖板在工作面垂直投影的外边缘位于围堰在工作面垂直投影的内边缘和外边缘之间；覆盖盖板和围堰的第一绝缘层，第一绝缘层在工作面的垂直投影与电极部分交叠；设置于第一绝缘层上且与电极一一对应电连接的金属布线；覆盖金属布线以及第一绝缘层的第二绝缘层，第二绝缘层具有多个与金属布线一一对应且露出部分金属布线的开口；填充开口并与金属布线电连接的金属焊球。此封装结构提升了滤波器芯片的良率，并且成本较低，工艺简单。

本文源自金融界

除了骁龙X60基带芯片，高通最新推出射频前端ultraSAW滤波器技术

IT之家2月19日消息 昨天，高通宣布了第三代5G基带骁龙X60芯片，基于5纳米工艺打造，支持Sub-6和mmWave之间的载波聚合，拥有最高7.5Gbps的下载速度和3Gbps的上传速度。IT之家获知，骁龙X60支持支持5G FDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合、5G TDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合、毫米波-6GHz以下频段聚合。

除了手机芯片及调制解调器（基带芯片）研发之外，高通正在积极将优势扩展至射频前端相关领域。

滤波器是射频前端的核心组件，主要用于将手机发射和接收的无线电信号从不同频段中分离出来。滤波器包括声表面滤波器(SAW)、体声波滤波器(BAW)、MEMS滤波器和IPD等，其中SAW和BAW是应用最为广泛的滤波器种类。

高通表示，面向5G/4G移动终端，推出了突破性的Qualcomm ultraSAW射频滤波器技术。该技术可实现卓越的滤波器特性，大幅提升2.7 GHz以下频段的射频性能，带来包括出色的发射、接收和交叉隔离能力、高频率选择性在内的多项优势，支持OEM厂商在5G和4G多模移动终端中以更低成本实现更高能效的射频路径。

高通ultraSAW滤波器的主要特点是：出色的发射、接收和交叉隔离能力；高频率选择性；品质因数高达5000-明显高于与之竞争的BAW滤波器的品质因数；极低插入损耗以及出色的温度稳定性，维持在个位数的ppm/开尔文范围内的极低温度漂移。

高通强调，ultraSAW对于进一步提升高通的射频前端（RFFE）产品组合和骁龙TM 5G调制解调器及射频系统的性能至关重要。目前，高通正在多条产品线中集成ultraSAW技术，包括功率放大器模组（PAMiD）、前端模组（FEMiD）、分集模组（DRx）、Wi-Fi分离器、GNSS分离器和射频多工器。

据IT之家了解，采用高通ultraSAW技术的一系列分立式和集成式产品于2020年第一季度开始量产，OEM厂商采用该技术推出的商用旗舰终端预计于2020年下半年推出。

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