摊牌了，全球前5大芯片设备厂商，中国都是最大客户

这几年，随着中国芯片越来越发展，美国打压越来越厉害。

目前荷兰、日本、美国众多的芯片设备厂商，已经不能将先进工艺的半导体设备，卖给中国大陆的晶圆企业了。

同时美国还将众多的中国大陆晶圆厂，列入了实体清单，进行打压，限制一些技术、设备等的进出口。

在美国看来，目前全球半导体设备这张王牌，是掌握在美国、日本、荷兰手中的，这三个国家的半导体设备，垄断了全球80%以上的份额。

只要限制住了这三个国家的设备不外流，就相当于卡住了中国芯片产业的喉咙，想怎么拿捏就怎么拿捏。

但美国没有想到的是，贸易其实是双方的，限制卖半导体设备给中国，限制中国半导体产业，但其实也卡住了这些半导体设备厂商的贸易往来。

因为目前这些半导体设备厂商，其实都是靠中国晶圆厂养着，中国都是其最大客户，一旦未来中国大陆不再从这些设备厂商那里购买设备，该怎么办？

举例说明，目前全球前五大半导体设备厂商，分别是应用材料 、ASML、泛林、东京电子、科磊。其中ASML是荷兰的，东京电子是日本的，另外3家是美国的。

数据显示，上半年，这5大设备厂商的营收中，有44%左右，是由中国市场贡献的。

其中ASML的营收中，中国大陆占比49%，应用材料的营收中，中国大陆占比41%。东京电子的营收中，中国大陆占比42%。泛林的营收中，中国大陆占比47%，科磊的营收中，中国大陆占比在44%左右。

很明显，对于前五大厂商而言，中国大陆都是其最大客户，这个大客户很重要，甚至贡献了接近一半的收入。

为何这些厂商要对外公开这些数字，其实也是相当于摊牌，给美国施压，告诉美国，你看我们现在有多依赖中国的晶圆厂，如果你限制我们不准卖设备，那么这么多的收入就没有了，损失有多大？

机构数据显示，2024年中国半导体设备市场规模将高达近380亿美元，相当于2720亿人民币，而国产半导体设备的自给率只有15%左右，85%靠进口，相当于2300亿元进口。

这2300亿元的进口，就是这些半导体设备厂商瓜分了，如果不准销售到中国大陆来，就相当于少收入2300亿，所以这些半导体设备厂商们，也是很着急的。

投资254亿美元，俄罗斯计划2030年实现70%芯片设备及材料国产化

10月3日消息，据俄罗斯媒体CNews报道，俄罗斯政府已拨款超过 2400 亿卢布（25.4 亿美元）支持国产半导体制造所需设备、CAD工具及原材料研发，目标是到 2030 年实现对于国外约70%的半导体设备和材料的国产替代。

报道称，已经有 50 多个组织参与了该计划的实施。目前已经启动了41个研发项目，2024年将启动26个，2025-2026年将启动另外43个，共计110个项目。

该计划由俄罗斯工业部、贸易部、俄罗斯国际科学技术中心 （ISTC） MIET 电子工程部制定，涉及半导体制造的多个环节：技术设备、材料和化学品、计算机辅助设计 （CAD） 系统。俄罗斯工业和贸易部也在完成一项单独计划的工作，以加速实现半导体设备关键部件的本地化生产。

目前俄罗斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能够生产的最先进的制程工艺依然停留在65nm或90nm等成熟节点，并且大量依赖于国外的半导体制造设备，尤其是光刻设备。

据ISTC MIET负责人雅科夫·别特连科 （Yakov Petrenko） 介绍，俄罗斯目前至少使用了400种不同型号的半导体制造设备，其中只有 12% 可以在当地生产。

自2022年2月俄乌冲突爆发后，美国、欧盟、日本、新加坡、韩国、中国台湾等地就相继出台了针对俄罗斯的半导体的出口管制，这些措施不仅使俄罗斯进口相关芯片变得困难，同时相关微电子制造设备的进口更是难上加难。

报道称，这些限制措施使得俄罗斯关键设备获取成本提升了 40% – 50%（例如，在印刷电路板上安装组件、组装终端设备、制成品的测试和质量控制的设备），因为必须通过走私途径才能进入到俄罗斯。

因此，为了降低成本并减少对于国外半导体制造设备的的依赖，俄罗斯工业部和贸易部以及 MIET制定了上述国产替代计划，重点是为微电子生产所需的大约 70% 的设备和原材料开发国内替代品。

作为该计划的一部分，俄罗斯计划开20 条不同技术路线的国产设备，包括从 180nm 到 28nm 的微电子学、微波电子学、光子学、电力电子学、光掩模生产、电子元件和模块的组装、无源电子学的生产等。

虽然该计划的战略目标看起来很明确（到 2030 年以 25.4 亿美元的价格实现 70% 的芯片制造设备和原材料的国产化），但具体的细节却相当模糊。

具体来说，俄罗斯计划在2026年底实现利用国产设备来生长单晶、切割硅晶圆、研磨和抛光、洗涤和干燥、应用元素并控制输出产品（X 射线衍射仪、缺陷控制）。同时，在2026年底完成用于 350nm 和 130nm 工艺技术的光刻设备和用于 150nm 生产节点的电子束光刻设备的开发，并能够掌握外延法（即在单个衬底上生长多层半导体材料的过程）工艺。

更远期的目标是，到2030年，俄罗斯能够自主生产65nm或90nm制程的国产光刻系统，这将显著提高该国生产微电子产品的能力，但仍将落后于目前全球行业领先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024会议期间，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告诉塔斯社记者称，俄罗斯首台国产光刻机已经制造完成，并正在泽列诺格勒进行测试，该设备可确保生产350nm的芯片。

在预算分配方面，2400 亿卢布（25.4 亿美元）的资金支出将分布在各种国家计划当中，包括“电子和无线电电子工业的发展”计划和“俄罗斯的科学和技术发展”计划。

其中，2023-2025 年将有超过 1000 亿卢布的“俄罗斯科学技术发展”得到补贴，这笔钱将用于开发微电子、微波、电力和光电子生产设备以及各种专用材料的研发工作。2023-2030年，俄罗斯 CAD 系统开发路线图的研发 （R&D） 投入将达到 546 亿卢布。

虽然俄罗斯的半导体产业链国产化目标很庞大，但是相对于庞大且复杂的半导体产业链来说，25.4 亿美元资金投入显然是远远不够的。

相关文章：《俄罗斯仍有5台ASML光刻机可用！》

编辑：芯智讯-浪客剑

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