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可生产5nm芯片！中企高端刻蚀设备亮相，获三星、台积电“盖章”

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据市场最新消息，4月6日当天，我国知名半导体设备生产商中微公司（以下简称“中微”）公开宣布，该司生产的离子体刻蚀设备，已应用在国际一线客户从65纳米到5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线和先进封装生产线。

其中，中微旗下备受瞩目的 12英寸高端刻蚀设备 ， 已被纳入 5 nm及 以下 芯片核心零部件的 加工 工序中 。

都知道，当前全球能生产5nm芯片的代工商仅有台积电、三星两家。中微的表述无疑就是在表明，该司的12英寸高端刻蚀设备已经获得国际最先进的芯片制造商的“盖章认证”。 而在去年4月，中微公司就曾透露，该司的高端刻蚀设备拿下了国际客户批量订单。

一家企业的芯片生产，需要涉及成百上千个设备以及零部件的供应。 例如，由于美国还不愿对EUV光刻机放松限制，中芯国际7nm及以下工艺芯片生产也无法开展。眼下，中微高端刻蚀设备取得的重大突破，无疑让我国芯片“卡脖子”的难题迎来了一丝曙光。

据了解，在芯片制造的整个流程中，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是其中最重要的3类设备。其中，刻蚀设备比我们熟知的光刻设备还要值钱，是一家芯片厂最“烧钱”的开销所在，在 晶圆制造设备价值量的 占比达 24% ，光刻设备则为23%。

中微的财报数据显示，该司的刻蚀设备在2020年挣得了将近12.9亿元的收入，同比增长约 58.49%。

可以想象，等到中芯国际等制造商的芯片制程发展到5nm工艺之际，起码在刻蚀设备方面也不用担忧面临“断供”的难题了。

文 |廖力思题 | 凌明图 |饶建宁卢文祥审 |陆烁宜

据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

据彭博社报道，长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。

彭博社认为，层数减少的原因是因为国产设备在制造过程中出现缺陷。对芯片制造领域稍有了解的人都知道，在早期制造阶段，这正常情况。

长江存储表示，长江存储正不断提高产品性能，最新NAND产品中层数的变化与任何特定设备无关。随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，长江存储会不断增加堆叠层数。

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