捷捷微电取得一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法专利，提升电路安全性并降低生产制造成本

金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法“，授权公告号CN110071171B，申请日期为2019年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件，甚至可以取消前端的TVS保护器件，既提升了电路安全性、又简化了电路器件，且降低生产制造成本。

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捷捷微电申请双向可控硅芯片专利，提高了散热效果和产品的didt值

金融界2023年12月7日消息，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司申请一项名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法“，公开号CN117174747A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法，其通过把门极和阳极设计在同一侧，阴极设计在另一侧，使得阴极和底板可以焊接在一起，提高了散热效果和产品的di/dt值，并且使用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的应用空间，所述芯片包括从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶材料区N，其特征在于：所述芯片的门极和阳极设置在上表面，阴极设置在下表面，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超过PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。

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