北京时代民芯申请一种用于传感器芯片的高平面度粘片结构制作方法专利，可实现大尺寸图像传感器芯片的高平面度的粘接

金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知识产权信息显示，北京微电子技术研究所,北京时代民芯科技有限公司申请一项名为“一种用于传感器芯片的高平面度粘片结构的制作方法“，公开号 CN202410531018.8，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于传感器芯片的高平面度粘片结构的制作方法，包括：点胶：采用热塑性树脂作为粘接材料，在陶瓷外壳上的芯片粘片区采用自动点胶/手动点胶方式，按照规定的点胶路径进行点胶；塑形：待粘接材料冷却固化后进行机械加工，得到凸台阵列；装片：将芯片放置在凸台阵列上；控制平面度：在芯片上方放置一定质量的限位片，利用限位片的重力进行平面度控制；固化：加热融化粘接材料后再次冷却固化。通过本发明所述方法，能够有效控制大尺寸芯片的粘片平面度，可实现大尺寸图像传感器芯片的高平面度的粘接，粘片平面度≤20μm，远优于未使用本方法的同类器件。

本文源自金融界

三星取得具有子芯片的图像传感器芯片专利，像素阵列可以通过互连电连接到第一电容器

金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“具有子芯片的图像传感器芯片“，授权公告号CN110211976B，申请日期为2019年2月。

专利摘要显示，一种图像传感器芯片可以包括第一子芯片、在第一子芯片上的第二子芯片、以及在第一子芯片与第二子芯片之间的互连。第一子芯片可以包括第一基板、在第一基板的第一区域上的底电极和在底电极上的第一电容器。第一电容器可以包括从底电极的顶表面垂直延伸的多个第一电极、在第一电极上的第二电极、以及在第二电极与第一电极之间的第一电介质层。第二子芯片可以包括配置为将入射光转换成电信号的像素阵列。像素阵列可以通过互连电连接到第一电容器。

本文源自金融界

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